发明名称 一种阳光控制薄膜以及双层复合阳光控制薄膜
摘要 本发明涉及一种阳光控制薄膜,在基材PET上磁控溅射镀制氮化钛膜。基材PET的厚度为23μm-50μm。氮化钛膜的厚度为5nm-30nm。氮化钛膜采用中频反应磁控溅射孪生靶方法镀制。本发明还涉及一种双层复合阳光控制薄膜,两层阳光控制薄膜之间通过压敏胶层粘结。压敏胶层位于两层阳光控制薄膜的氮化钛膜之间。本发明阻隔了红外线就减少了热量的来源,且在可见光区还有增透效果,实现了隔热的同时却不影响可见光的透过率。并且TiN在室温下具有很高的化学稳定性,性能稳定永不褪色、变色,使用寿命长久。本发明还可以防止玻璃破碎后飞溅,兼具有防爆膜的功能。本发明一种双层复合阳光控制薄膜可以有效地减少反射光强度。
申请公布号 CN102838289A 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201110171602.X 申请日期 2011.06.24
申请人 核工业西南物理研究院 发明人 翟玉涛;霍蕾;文磊;李绪波;何山
分类号 C03C23/00(2006.01)I 主分类号 C03C23/00(2006.01)I
代理机构 核工业专利中心 11007 代理人 高尚梅;高爽
主权项 一种阳光控制薄膜,其特征在于:在基材PET上磁控溅射镀制氮化钛膜。
地址 610041 四川省成都市武侯区二环路南三段三号