| 发明名称 | 发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明的发光元件，包括：半导体多层膜(102)，其被形成在基板(101)的主面上，并且具有产生第一波长的光的活性层(122)；和多个荧光体层(105)，其被形成在半导体多层膜(102)上，并且构成第1一2维周期结构。荧光体层(105)被第一波长的光激发，产生第二波长的光，半导体多层膜(102)具有引导第一波长的光和第二波长的光的光波导通路(109)，对于从光波导通路(109)的端面辐射出的光而言，较之电场的方向与主面呈垂直的方向的光，呈水平的方向的光的比例更高。 | ||
| 申请公布号 | CN102844893A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201080066249.2 | 申请日期 | 2010.09.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 折田贤儿 |
| 分类号 | H01L33/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种发光元件，包括：半导体多层膜，被形成在基板的主面上，并且具有产生第一波长的光的活性层；和多个荧光体层，被形成在所述半导体多层膜上，并且构成第一2维周期结构，所述荧光体层被所述第一波长的光激发，产生第二波长的光，所述半导体多层膜具有引导所述第一波长的光和第二波长的光的光波导通路，对于从所述光波导通路的端面辐射出的光而言，较之电场的方向与所述主面呈垂直的方向的光，呈水平的方向的光的比例更高。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||