发明名称 |
层叠膜及其使用 |
摘要 |
本发明提供能够容易且准确地对经三维安装的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜。本发明的层叠膜是用于对通过连接用构件而电连接的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜,所述层叠膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割片和层叠在上述粘合剂层上的固化性膜,上述固化性膜在50~200℃下的最低熔融粘度为1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。 |
申请公布号 |
CN102842541A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210204695.6 |
申请日期 |
2012.06.18 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
小田高司;高本尚英;千岁裕之 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
雒运朴 |
主权项 |
一种层叠膜,其是用于对通过连接用构件而电连接的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜,所述层叠膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割片和层叠在所述粘合剂层上的固化性膜,所述固化性膜在50~200℃下的最低熔融粘度为1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。 |
地址 |
日本大阪府 |