| 发明名称 | 一种用于半导体工艺设备的衬套机构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体工艺设备的衬套机构，包括至少内环衬套层和外环衬套层两层衬套，所述内环衬套层和外环衬套层相互套接。由于本发明具有分体式的衬套机构，所以每次机台维护只需更换轻便的内环衬套层，方便操作，有效节省了维护时间。同时，碳化硅(SiC)材质避免了金属杂质的引入；并且SiC的抗等离子腐蚀性能更为优异。最后，采用石墨转换制造SiC零件，增加了零件的制造灵活性，缩短了制造周期，降低了制造成本。从而，明显降低了机台的拥有成本和消耗成本。本发明可以广泛应用于其他半导体工艺设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101521143B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200810100895.0 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陶林 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/16(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;陈源 |
| 主权项 | 一种用于半导体工艺设备的衬套机构，其特征在于：所述衬套机构设置在半导体工艺设备的基体内侧，所述衬套机构包括至少内环衬套层(1)和外环衬套层(2)两层衬套，所述内环衬套层(1)一体制成，并且所述内环衬套层(1)和外环衬套层(2)相互套接；其中所述内环衬套层(1)包括碳化硅材料，该碳化硅内环衬套层(1)由石墨坯件经过反应生成。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 | ||