| 发明名称 | 晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种晶体管。根据本实用新型的晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量。 | ||
| 申请公布号 | CN202633240U | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201190000076.4 | 申请日期 | 2011.02.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;卢江 |
| 主权项 | 晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少两个位错，其中源区包含第一数量的位错，漏区包含第二数量的位错，所述第一数量不同于第二数量。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||