发明名称 |
一种氢化处理的TiO<sub>2</sub>纳米管阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氢化处理的TiO2纳米管阵列,该氢化处理的TiO2纳米管阵列中Tin+占钛离子总数的1%~30%,其中n为不大于3的正整数;所述氢化处理的TiO2纳米管阵列的颜色为黑色或墨绿色,电导率为0.01S·cm-1~8.9S·cm-1。本发明还公开了该TiO2纳米管阵列的制备方法,该方法采用电解氧化制备TiO2纳米管阵列,然后再对制备的TiO2纳米管阵列进行氢化热处理,得到氢化处理的TiO2纳米管阵列。本发明的氢化处理的TiO2纳米管阵列具有优良的利用可见光及红外光的能力且导电性能得到明显提高,其光催化降解同种有机污染物的能力与未氢化处理的TiO2纳米管阵列相比有较大的提高。 |
申请公布号 |
CN102247828B |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201110121938.5 |
申请日期 |
2011.05.13 |
申请人 |
西北有色金属研究院 |
发明人 |
李广忠;汤慧萍;张文彦;康新婷;李纲 |
分类号 |
B01J23/20(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/745(2006.01)I;B01J23/22(2006.01)I;B01J23/847(2006.01)I;C01B3/04(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I;C02F101/38(2006.01)N |
主分类号 |
B01J23/20(2006.01)I |
代理机构 |
西安创知专利事务所 61213 |
代理人 |
谭文琰 |
主权项 |
一种氢化处理的TiO2纳米管阵列,其特征在于,该氢化处理的TiO2纳米管阵列中Tin+占钛离子总数的1%~30%,其中n为不大于3的正整数;所述氢化处理的TiO2纳米管阵列的颜色为黑色或墨绿色,电导率为0.01S·cm‑1~8.9S·cm‑1。 |
地址 |
710016 陕西省西安市未央路96号 |