功率MOS管制造方法

摘要

本发明提出一种功率MOS管制造方法，包括如下步骤：提供基底，在该基底上形成栅极凹槽；在基底的表面及栅极凹槽的底部和侧壁形成氮化硅层；去除栅极凹槽底部的氮化硅层，对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层；去除氮化硅层，在栅极凹槽的侧壁形成栅氧化物层，在栅极凹槽内形成多晶硅栅极。由于上述技术方案的实施，使得底部埋氧层的密度致密而且不会对基底产生损害，提升底部埋氧层的品质，降低功率MOS管的寄生电容、提高开关速度。

主权项

一种功率MOS管制造方法，其特征在于：包括如下步骤：提供基底，在该基底上形成栅极凹槽；在基底的表面及栅极凹槽的底部和侧壁形成垫氧化物层，在垫氧化物层上形成氮化硅层；去除栅极凹槽底部的氮化硅层和垫氧化物层，对出露的基底进行氧化，形成底部埋氧层；去除氮化硅层和垫氧化物层，在栅极凹槽的侧壁形成栅氧化物层，在栅极凹槽内形成多晶硅栅极，在栅极凹槽开口侧部掺杂形成源极。