发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 발명의 반도체메모리장치는 라이트펄스를 제1 구간만큼 클럭시프팅하여 제1 버스트개시신호를 생성하고, 상기 라이트펄스를 제2 구간만큼 클럭시프팅하여 제2 버스트개시신호를 생성하되, 테스트신호에 응답하여 상기 제1 또는 제2 버스트개시신호를 선택적으로 선택버스트개시신호로 전달하는 버스트개시신호생성부와 상기 제1 버스트개시신호에 응답하여 입력제어신호를 생성하는 입력제어신호생성부 및 상기 선택버스트개시신호에 응답하여 라이트드라이버인에이블신호를 생성하는 라이트커맨드생성부를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101215647(B1) 申请公布日期 2012.12.26
申请号 KR20110008844 申请日期 2011.01.28
申请人 发明人
分类号 G11C11/4076;G11C11/4093;G11C29/50 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人
主权项
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