用作静电放电保护措施的晶体管组件

摘要

本发明涉及一种布置在晶体管（25）附近的、用于进行保护防止ESD的二极管（23）。二极管包括第一传导类型的阱（5）和与第一传导类型相对的第二传导类型的掺杂区域（4）。晶体管包括第一传导类型的掺杂阱（2）和掺杂区域（1）。晶体管的阱（2）的掺杂低于二极管的阱（5）。

主权项

一种晶体管组件，具有：‑晶体管（25），其具有第一传导类型的阱（20）以及布置在所述阱外部的第一传导类型的掺杂区域（1），以及‑二极管（23），其具有第一传导类型的附加阱（5）以及布置在所述附加阱外部的、与所述第一传导类型相对的第二传导类型的掺杂区域（4），其中‑所述二极管的掺杂区域（4）布置在所述二极管的阱（5）和所述晶体管的掺杂区域（1）之间，并且所述晶体管的阱（2）和所述二极管的阱（5）彼此电传导地连接，以及其中‑在所述晶体管的掺杂区域（1）和所述二极管的阱（5）之间存在充分小的距离，并且所述晶体管的阱（2）具有比所述二极管的阱（5）充分低的掺杂，使得通过作为集电极的所述晶体管的阱（2）、作为基极的所述二极管的掺杂区域（4）和作为发射极的所述晶体管的掺杂区域（1）形成的双极型晶体管，与通过作为集电极的所述二极管的阱（5）、作为基极的所述二极管的掺杂区域（4）和作为发射极的所述晶体管的掺杂区域（1）形成的双极型晶体管相比，具有较低的电流增益。