| 发明名称 | 一种硅片对准系统焦面校准方法 | ||
| 摘要 | 一种硅片对准系统焦面的校准方法，包括：步骤一：工件台保持无倾斜，采用高度步进的方式，通过对准标记的反射光强粗测对准光学系统的焦面位置；步骤二：将工件台保持在对准光学系统的焦面位置处，在多个不同的倾斜度下使用对准光学系统对准对准标记，得到对准位置与倾斜度之间的关系曲线，进而得到干涉仪阿贝误差；步骤三：保持倾斜度，不断改变工件台高度，测得表示对应的倾斜度下对准位置与高度之间关系的直线，改变倾斜度，重复上述步骤，测得对准光学系统的焦面高度及焦面倾角；步骤四：利用步骤三中得到的焦面高度和焦面倾角，利用迭代的方法重复步骤二得到精确校准干涉仪阿贝误差，然后重复步骤三精确校准对准光学系统的焦面。 | ||
| 申请公布号 | CN102841516A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110168712.0 | 申请日期 | 2011.06.22 |
| 申请人 | 上海微电子装备有限公司 | 发明人 | 朱健;孙刚 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 王光辉 |
| 主权项 | 一种硅片对准系统焦面的校准方法，包括：步骤一：工件台保持无倾斜，采用高度步进的方式，通过对准标记的反射光强粗测对准光学系统的焦面位置；步骤二：将工件台保持在对准光学系统的焦面位置处，在多个不同的倾斜度下使用对准光学系统对准对准标记，得到对准位置与倾斜度之间的关系曲线，进而得到干涉仪阿贝误差；步骤三：保持倾斜度，不断改变工件台高度，测得表示对应的倾斜度下对准位置与高度之间关系的直线，改变倾斜度，重复上述步骤，测得对准光学系统的焦面高度及焦面倾角；步骤四：利用步骤三中得到的焦面高度和焦面倾角，利用迭代的方法重复步骤二得到精确校准干涉仪阿贝误差，然后重复步骤三精确校准对准光学系统的焦面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东区张江高科技园区张东路1525号 | ||