发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分,位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。 |
申请公布号 |
CN102842596A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201110176871.5 |
申请日期 |
2011.06.22 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
陈永初;洪崇祐;朱建文 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:一阱区;一介电结构,位于该阱区上,且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边,其中该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分,位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间;一第一掺杂层,位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该阱区上;一第二掺杂层,位于该第一掺杂层上;以及一第一掺杂区,位于该第一介电侧边上的该阱区中,其中该阱区、该第一掺杂层与该第一掺杂区具有一第一导电型,该第二掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型,一阴极被电性连接至该第一掺杂区,一阳极被电性连接至该第二介电侧边上的该阱区。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |