发明名称 磁控溅射设备
摘要 一种磁控溅射设备,包括壳体、靶材、炉盘及多个挡板;所述壳体开设有反应腔;所述靶材收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上;所述炉盘收容于反应腔内,所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对;所述多个挡板设置于所述壳体的内壁上,分布于所述炉盘的周围。上述磁控溅射设备中,其反应腔内壁上设有挡板。挡板用来阻挡射向反应腔内壁的溅射粒子,并对溅射粒子进行沉积,防止其形成碎渣并掉落,影响反应腔内制备的薄膜的质量。
申请公布号 CN202626280U 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201220261265.3 申请日期 2012.06.05
申请人 中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学 发明人 贺凡;肖旭东
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 吴平
主权项 一种磁控溅射设备,其特征在于,包括:壳体,开设有反应腔;靶材,收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上;炉盘,收容于反应腔内,所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对;及多个挡板,设置于所述壳体的内壁上,分布于所述炉盘的周围。
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号