发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>제 1 방열판 (110), 제 1 절연층 (112), 제 1 도전층 (113) 및 제 1 반도체 소자 (10) 를 이 순서로 포함하는 제 1 적층체와, 제 2 방열판 (120), 제 2 절연층 (122), 제 2 도전층 (123), 및 상기 제 1 반도체와는 상이한 반도체 재료로 형성되는 제 2 반도체 소자 (20) 를 이 순서로 포함하는 제 2 적층체와, 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층을 전기적으로 접속하는 접속부 (130) 를 구비한 반도체 장치로서, 상기 제 1 적층체와 상기 제 2 적층체는 열적으로 절연되어 있다.</p>
申请公布号 KR101215125(B1) 申请公布日期 2012.12.24
申请号 KR20107024882 申请日期 2009.04.30
申请人 发明人
分类号 H01L23/34;H01L25/18 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人
主权项
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