线路结构及其制程

摘要

一种线路结构具有一第一介电层、一第一线路图案、一第一导电孔及一独立孔垫。第一线路图案埋入于第一介电层，并具有一第一孔垫。第一导电孔穿过第一介电层，并与第一孔垫连接。独立孔垫配置在第一介电层较远离第一孔垫的一面上，并连接于第一导电孔较远离第一孔垫的一端。线路结构更具有一第二介电层、至少一第二导电孔及一第二线路图案。第二介电层配置于第一介电层之配置有独立孔垫的一面上。第二导电孔穿过第二介电层，并与独立孔垫连接。第二线路图案埋入于第二介电层较远离独立孔垫的一面，并具有至少一第二孔垫，其连接第二导电孔。

主权项

一种线路结构，包括：一第一介电层；一第一线路图案，埋入于该第一介电层，并具有至少一第一孔垫；至少一第一导电孔，穿过该第一介电层，并与该第一孔垫连接；至少一独立孔垫，配置在该第一介电层之较远离该第一孔垫的一面上，并连接于该第一导电孔较远离该第一孔垫的一端，其中该独立孔垫所属为无线路图案的独立孔垫层；一第二介电层，配置于该第一介电层之配置有该独立孔垫的一面上；以及至少一第二导电孔，穿过该第二介电层，并与该独立孔垫连接。如申请专利范围第1项所述之线路结构，其中该独立孔垫之外径大于该第一孔垫之外径。一种线路结构制程，包括：提供一第一复层结构，包括：一第一承载基板；一第一线路图案，配置在该第一承载基板上，并具有至少一第一孔垫；一第一介电层，配置于该第一承载基板及该第一线路图案上，且该第一线路图案埋入于该第一介电层；至少一第一导电孔，穿过该第一介电层，并与该第一孔垫连接；以及至少一独立孔垫，位于该第一导电孔远离该第一孔垫的一端，且该第一导电孔连接该独立孔垫及该第一孔垫；提供一第二复层结构，包括：一第二承载基板；以及一第二线路图案，配置在该第二承载基板上；压合该第一复层结构、一第二介电层及该第二复层结构，使该第二线路图案及该独立孔垫埋入于该第二介电层，且该第二介电层接合至该第一介电层；移除该第一承载基板及该第二承载基板，以暴露出该第一线路图案及该第二线路图案；形成至少一第一开口，其贯穿该第二介电层，并暴露出该独立孔垫；以及将导电材料填入至该第一开口内，以形成一第二导电孔，其连接该独立孔垫。如申请专利范围第3项所述之线路结构制程，其中该独立孔垫之外径大于该第一孔垫之外径。如申请专利范围第3项所述之线路结构制程，其中该第二线路图案具有一环形垫，将导电材料填入该第一开口内时，填入该环形垫中的导电材料与该环形垫构成一第二孔垫。如申请专利范围第5项所述之线路结构制程，其中该独立孔垫之外径大于该第二孔垫之外径。如申请专利范围第3项所述之线路结构制程，其中提供该第一复层结构的步骤包括：形成该第一线路图案于该第一承载基板上；形成该第一介电层于该第一承载基板及该第一线路图案上；形成一导电层于该第一介电层上；形成至少一第二开口，其贯穿该导电层及该第一介电层，并暴露出该第一孔垫；将导电材料填入至该第二开口内，以形成该第一导电孔，其连接该第一孔垫及该导电层；以及图案化该导电层，以形成该独立孔垫。如申请专利范围第3项所述之线路结构制程，其中提供该第一复层结构的步骤包括：形成该第一线路图案于该第一承载基板上；形成该第一介电层于该第一承载基板及该第一线路图案上；形成至少一第二开口，其贯穿该第一介电层，并暴露出该第一孔垫；形成一图案化罩幕在该第一介电层上，并具有一罩幕开口，其暴露出该第二开口；将导电材料填入至该第二开口内，以形成该第一导电孔，其连接该第一孔垫；将导电材料填入至该罩幕开口内，以形成该独立孔垫；以及移除该图案化罩幕。如申请专利范围第3项所述之线路结构制程，其中提供该第二复层结构的步骤包括：形成该第二线路图案于该第二承载基板上。如申请专利范围第1项所述之线路结构，其中该第一介电层为一玻纤胶片、一树脂层或一涂布一液态介电材料的涂布层。如申请专利范围第1项所述之线路结构，其中该第一导电孔的材料为一电镀材料。如申请专利范围第1或2项所述之线路结构，其中该独立孔垫环绕该第一导电孔的末端。如申请专利范围第1或2项所述之线路结构，其中该独立孔垫与该第一导电孔一体成形。如申请专利范围第1项所述之线路结构，其中该第二介电层为一体成型之独立单元。如申请专利范围第1、2或14项所述之线路结构，更包括一第二线路图案，埋入于该第二介电层之较远离该独立孔垫的一面，其中该第二线路图案具有至少一环形垫，而填入该环形垫中的导电材料与该环形垫构成一连接该第二导电孔的至少一第二孔垫。如申请专利范围第15项所述之线路结构，其中该独立孔垫之外径大于该第二孔垫之外径。如申请专利范围第15项所述之线路结构，其中该第二导电孔穿过该第二孔垫且暴露出来。如申请专利范围第15项所述之线路结构，其中该第二线路图案与该第二导电孔之间具有一边界。如申请专利范围第15项所述之线路结构，其中该第一介电层的表面上无配置任何导线。如申请专利范围第19项所述之线路结构，其中该第二线路图案与该第二导电孔之间具有一边界。如申请专利范围第19项所述之线路结构，其中该该第二介电层为一体成型之独立单元。