发明名称 形成有铜配线或突起的基板之制法
摘要 本发明之课题系提供一种制造基板的方法,系使用具有藉由溅镀法所形成的金属薄膜层之基板,以半加法形成细线铜配线及突起,其特征为,能够迅速蚀刻去除种晶层的金属、特别是溅镀铜或溅镀镍,抑制铜配线的配线宽度减少,没有断线、短路等不良,且不会侵蚀突起构成金属、可靠性高。;本发明之解决手段系使用一种蚀刻液,该蚀刻液含有0.1~10重量%过氧化氢、及0.5~50重量%磷酸、且过氧化氢/磷酸的重量比为0.02~0.3。
申请公布号 TWI380750 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW095112305 申请日期 2006.04.07
申请人 三菱瓦斯化学股份有限公司 发明人 高桥健一
分类号 H05K3/02 主分类号 H05K3/02
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种形成有铜配线或突起的基板之制法,其系使用具有藉由溅镀法所形成的金属薄膜层之基板,在该金属薄膜层上形成光阻图案后,施行电解镀敷铜或施行镀敷突起用金属,接着,藉由进行去除光阻及经由蚀刻去除金属薄膜层之半加法,来制造形成有铜配线或突起的基板之方法,其特征为,蚀刻液系使用含有0.1~10重量%过氧化氢、及0.5~50重量%磷酸、且过氧化氢/磷酸的重量比为0.02~0.3之蚀刻液。如申请专利范围第1项的基板之制法,其中以溅镀法形成的金属薄膜层系铜。如申请专利范围第1项的基板之制法,其中以溅镀法形成的金属薄膜层系镍。
地址 日本