发明名称 |
研磨垫及基底层 |
摘要 |
一种研磨垫,其包括研磨层以及基底层。基底层配置于研磨层下方。基底层具有多个封闭式孔洞,且此研磨垫在JIS-L1096标准测试下,压缩量大于0.283 mm。 |
申请公布号 |
TWM443593 |
申请公布日期 |
2012.12.21 |
申请号 |
TW101216705 |
申请日期 |
2012.08.30 |
申请人 |
智胜科技股份有限公司 |
发明人 |
姜继铭;许智斌 |
分类号 |
B24B37/20 |
主分类号 |
B24B37/20 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种研磨垫,包括:一研磨层;以及一基底层,配置于该研磨层下方,该基底层具有多个封闭式孔洞,且该研磨垫在JIS-L1096标准测试下,压缩量大于0.283 mm。如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该基底层系为一单层结构。如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该基底层系为一多层结构。如申请专利范围第2项所述之研磨垫,其中该基底层的厚度为大于2.4 mm。如申请专利范围第2项所述之研磨垫,其中该研磨垫的压缩百分比大于8%。如申请专利范围第2项所述之研磨垫,其中该基底层的硬度为小于70 Shore A。如申请专利范围第2至3项中任一项所述之研磨垫,其中该基底层是由低密度聚乙烯、或低密度聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的混合物所制成。如申请专利范围第2至3项中任一项所述之研磨垫,更包括一黏着层,配置于该研磨层与该基底层之间。一种基底层,适用于衬垫一研磨垫的一研磨层,其特征在于:该基底层具有多个封闭式孔洞,且该研磨垫在JIS-L1096标准测试下,压缩量大于0.283 mm。如申请专利范围第9项所述之基底层,其中该基底层系为一单层结构。如申请专利范围第9项所述之基底层,其中该基底层系为一多层结构。如申请专利范围第10项所述之基底层,其中该基底层的厚度为大于2.4 mm。如申请专利范围第10项所述之基底层,其中该研磨垫的压缩百分比大于8%。如申请专利范围第10项所述之基底层,其中该基底层的硬度为小于70 Shore A。如申请专利范围第10至11项中任一项所述之基底层,其中该基底层是由低密度聚乙烯、或低密度聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的混合物所制成。 |
地址 |
台中市西屯区工业区九路12号 |