| 主权项 |
一种基板结构，包括：一基材，具有一第一线路层及一第二线路层，分别形成于该基板之相对两面；一第一绝缘层，形成于该第一线路层上，该第一绝缘层具有一第一绝缘层开口，该第一绝缘层开口于该第一绝缘层之外表面露出一第一开口并露出该第一线路层之一部份；一导电部，形成于该第一绝缘层开口，用以与一晶片电性连接且被该第一开口之边缘所围绕，而该第一线路层之该部份与该导电部接触；一第二绝缘层，形成于该第二线路层上，该第二绝缘层具有一第二绝缘层开口；一第一种子层，形成于该第二绝缘层上；以及一导电层，形成于该第一种子层上，用以与一电路板电性连接。如申请专利范围第1项所述之基板结构，其中该导电部之外表面系低于或等于该第一开口。如申请专利范围第1项所述之基板结构，其中该导电部之外表面系突出于该第一开口。如申请专利范围第1项所述之基板结构，其中该导电部之外表面为一弧面。如申请专利范围第1项所述之基板结构，更包括：一保护层，形成于该导电部之外表面上，用以保护该导电部。如申请专利范围第5项所述之基板结构，其中该保护层之材质为金、银、镍、钯、有机保护层(Organic Solderability Preservative,OSP)、化学镍金(Electroless Ni & Immersion Gold,ENIG)、化学镍钯金(Electroless Ni/Pd & Immersion Gold,ENEPIG)或锡。如申请专利范围第1项所述之基板结构，其中该导电部之材质为金、银、镍、钯、锡或铜。如申请专利范围第1项所述之基板结构，其中该导电层之材质与该导电部之材质系相同。一种基板结构之制造方法，包括：提供一基材，该基材具有一第一线路层及一第二线路层，分别形成于该基板之相对两面；形成一第一绝缘层于该第一线路层上，该第一绝缘层具有一第一绝缘层开口，该第一绝缘层开口于该第一绝缘层之外表面露出一第一开口并露出该第一线路层之一部份；形成一第二绝缘层于该第二线路层上，该第二绝缘层具有一第二绝缘层开口；形成一第一种子层于该第二绝缘层并同时形成一第二种子层于该第一绝缘层；移除该第二种子层；以及形成一导电部于该第一绝缘层开口并同时形成一导电层于该第一种子层上，该导电部系用以与一晶片电性连接且被该第一开口之边缘所围绕而该第一线路层之该部份与该导电部接触，该导电层系用以与一电路板电性连接。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中于移除该第二种子层之该步骤之后，该制造方法更包括：形成一光阻层于该第二绝缘层上，该光阻层具有一第二开口，该第二开口系露出该第二绝缘层开口。如申请专利范围第10项所述之制造方法，其中于同时形成该导电部与该导电层之该步骤之后，该制造方法更包括：移除该光阻层。如申请专利范围第11项所述之制造方法，其中该光阻层为一乾膜(Dry Film)，移除该光阻层之该步骤系以蚀刻方式或剥离方式(Stripping)。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中同时形成该导电部与该导电层之该步骤系以电镀方式完成。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中同时形成该导电部与该导电层之该步骤系以化学沉积方式完成。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中同时形成该第一种子层与该第二种子层之该步骤系以无电镀方式(electroless plating)或溅镀方式完成。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中移除该第二种子层之该步骤系以蚀刻方式完成。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电部之外表面系低于该第一开口。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电部之外表面突出于该第一开口。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电部之外表面为一弧面。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中于同时形成该导电部与该导电层之该步骤之后，该制造方法更包括：形成一保护层于该导电部之外表面上，用以保护该导电部。如申请专利范围第20项所述之制造方法，其中该保护层之材质为金、银、镍、钯、有机保护层、化学镍金、化学镍钯金或锡。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电部之材质为金、银、镍、钯、锡或铜。如申请专利范围第9项所述之制造方法，其中该导电层之材质与该导电部之材质系相同。 |
