堆叠式多封装构造装置、半导体封装构造及其制造方法

摘要

一种半导体封装构造包含一基板、一晶片组、复数条焊线、至少一凸块及一封胶化合物。该基板具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面。该晶片组包含一晶片，其固定于该基板之上表面，并具有复数个接垫。该些焊线是用以将该些接垫电性连接至该基板之上表面。该凸块配置于该接垫与该焊线的连接处。该封胶化合物是用以包覆该晶片及该些焊线，并包含至少一开口，用以裸露出该凸块。

主权项

一种堆叠式多封装构造之制造方法，包含下列步骤：提供一第一基板，其具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；将一晶片组固定于该第一基板上，其中该晶片组包含至少一第一晶片，其固定于该第一基板之上表面，并具有至少一第一接垫；藉由至少一打线步骤，将至少一第一焊线形成在该第一接垫与该第一基板之上表面间；将至少一凸块形成于该第一接垫与该第一焊线的连接处；模造一第一封胶化合物，包覆该第一晶片及该第一焊线；移除部分之该第一封胶化合物，以形成至少一开口，裸露出该凸块；以及于该第一封胶化合物上堆叠一封装构造，其包含有：一第二基板，具有一上表面及一下表面，该下表面相对于该上表面；以及至少一焊球，固定于该第二基板之下表面，贴附于位在该第一封胶化合物之该开口内，且连接于该凸块。依申请专利范围第1项之制造方法，其中在该第一焊线形成后，系藉由同一打线步骤将该凸块接续形成。依申请专利范围第1项之制造方法，其中该第一焊线及该凸块皆为导电材料所制。依申请专利范围第3项之制造方法，其中该导电材料系为金属。依申请专利范围第4项之制造方法，其中该金属系为金。依申请专利范围第1项之制造方法，其中该凸块为半球状。依申请专利范围第1项之制造方法，其中堆叠于该第一封胶化合物上之该封装构造另包含：一第二晶片，其固定于该第二基板之上表面，并具有复数个第二接垫；复数条第二焊线，电性连接该第二晶片之该些第二接垫至该第二基板之上表面；以及一第二封胶化合物，包覆该第二晶片及该些第二焊线。依申请专利范围第1项之制造方法，其中该晶片组另包含一第三晶片，其固定于该第一基板之上表面。依申请专利范围第1项之制造方法，其中该晶片组另包含一第四晶片，其堆叠于该第一晶片之上。