| 主权项 |
一种双能障超晶格红外线侦测器，系包括：第一阻挡层，系具有第一能障；超晶格层，系形成于该第一阻挡层上，且具有复数个周期结构；超晶格欧姆接点，系形成于该超晶格层上，用以将电子由该超晶格层进行补偿；以及第二阻挡层，系形成于未覆盖该超晶格欧姆接点之该超晶格层上，且具有梯度之第二能障，其中，该第二能障低于该第一能障。如申请专利范围第1项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该超晶格欧姆接点系由高掺杂之半导体材料和金属材料之其中一者所构成，以供与该超晶格层进行欧姆接触并补偿电子或电洞。如申请专利范围第1项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该超晶格层系利用分子磊晶生长于该第一阻挡层上，该第二阻挡层系利用分子磊晶生长于该超晶格层上。如申请专利范围第1项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该超晶格层之每一个周期结构均系由一N型掺杂之GaAs量子井及一未掺杂之AlGaAs层所构成，该GaAs量子井具有第一能带，而该AlGaAs层具有第二能带。如申请专利范围第1项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该第一阻挡层系未掺杂之Al0.33Ga0.67As，该第二阻挡层系未掺杂之AlXGa1-XAs，X=0.29-0.21。如申请专利范围第1项所述之双能障超晶格红外线侦测器，复包括多量子井层，其系形成于该第二阻挡层上，且具有复数个周期，每一个周期均系由一N型掺杂之GaAs量子井及一未掺杂之AlGaAs阻挡层所构成。如申请专利范围第6项所述之双能障超晶格红外线侦测器，复包括多量子井欧姆接点，系由高掺杂之半导体材料和金属材料之其中一者所构成，以供与该多量子井层进行偏压。一种双能障超晶格红外线侦测器，系包括：第一阻挡层，系具有第一能障；第一超晶格层，系形成于该第一阻挡层上，且具有复数个第一周期结构；第一超晶格欧姆接点，系形成于该第一超晶格层上；第二阻挡层，系形成于未覆盖该第一超晶格欧姆接点之该第一超晶格层上，且具有梯度之第二能障，其中，该第二能障低于该第一能障；多量子井层，其系形成于该第二阻挡层上；第三阻挡层，系形成于该多量子井层上，且具有梯度之第三能障；第二超晶格层，系形成于该第三阻挡层上，且具有复数个第二周期结构；第二超晶格欧姆接点，系形成于该第二超晶格层上；以及第四阻挡层，系具有第四能障，且形成于未覆盖该第二超晶格欧姆接点之该第二超晶格层上，其中，该第四能障高于该第三能障。如申请专利范围第8项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该第一超晶格欧姆接点和该第二超晶格欧姆接点均系由高掺杂之半导体材料和金属材料之其中一者所构成。如申请专利范围第8项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该第一周期结构和该第二周期结构均系由一N型掺杂之GaAs量子井及一未掺杂之AlGaAs层所构成，该GaAs量子井具有第一能带，而该AlGaAs层具有第二能带。如申请专利范围第8项所述之双能障超晶格红外线侦测器，其中，该多量子井层包括复数个井周期结构，均系由一N型掺杂之GaAs量子井及一未掺杂之AlGaAs阻挡层所构成。 |
