基板处理方法及基板处理装置

摘要

本发明之基板处理方法，包含有：纯水供给步骤，对基板之表面供给纯水；电阻系数减低气体供给步骤，供给电阻系数减低气体，将接触于上述基板之表面的纯水所处之环境，改变为可减低纯水之电阻系数的电阻系数减低气体之环境；及纯水排除步骤，于该电阻系数减低气体供给步骤之后，排除上述基板表面之纯水。

主权项

一种基板处理方法，其包含：纯水供给步骤，对基板之表面供给纯水；电阻系数(resistivity)减低气体供给步骤，其供给电阻系数减低气体，以使接触于上述基板之表面的纯水所处环境，成为可减低纯水之电阻系数的电阻系数减低气体之环境；纯水排除步骤，于该电阻系数减低气体供给步骤后，排除上述基板表面之纯水；及接地步骤，其透过导电性构件使上述基板上之纯水接地。一种基板处理方法，其包含：纯水供给步骤，对基板之表面供给纯水；电阻系数(resistivity)减低气体供给步骤，其供给电阻系数减低气体，以使接触于上述基板之表面的纯水所处环境，成为可减低纯水之电阻系数的电阻系数减低气体之环境；及纯水排除步骤，于该电阻系数减低气体供给步骤后，排除上述基板表面之纯水；而上述纯水供给步骤包含有纯水涂覆(puddle)步骤，其对由基板保持机构保持为略呈水平的基板之表面涂覆纯水；上述电阻系数减低气体供给步骤包含有将上述电阻系数减低气体溶解在涂覆于上述基板表面状态下之纯水之步骤。如申请专利范围第1或2项之基板处理方法，其中，在处理室内进行上述纯水供给步骤、电阻系数减低气体供给步骤及纯水排除步骤，上述电阻系数减低气体供给步骤包含有对上述处理室内供给电阻系数减低气体之步骤。如申请专利范围第1或2项之基板处理方法，其中，上述电阻系数减低气体供给步骤包含有对上述基板之表面供给电阻系数减低气体之步骤。如申请专利范围第4项之基板处理方法，其中，同时并行上述电阻系数减低气体供给步骤及纯水排除步骤。如申请专利范围第1项之基板处理方法，其中，上述纯水供给步骤包含有纯水涂覆(puddle)步骤，其对由基板保持机构保持为略呈水平的基板之表面涂覆纯水。如申请专利范围第1或2项之基板处理方法，其中，上述纯水排除步骤包含有基板倾斜步骤，其藉由使基板从水平姿势倾斜而使基板上之纯水流下。如申请专利范围第2项之基板处理方法，其中，更进一步包含有接地步骤，其透过导电性构件使上述基板上之纯水接地。一种基板处理装置，其包含有：处理室；基板保持机构，在该处理室内保持基板；纯水供给单元，对由该基板保持机构所保持的基板供给纯水；电阻系数减低气体供给单元，于上述处理室内具有气体吐出口，从上述气体吐出口吐出电阻系数减低气体，以使由上述基板保持机构所保持的基板之表面所处环境，成为可减低纯水之电阻系数的电阻系数减低气体之环境；纯水排除单元，从由上述基板保持机构所保持的基板之表面排除纯水；及导电性构件，用以使上述基板上之纯水接地。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，上述电阻系数减低气体供给单元系使上述处理室内成为电阻系数减低气体之环境者。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，上述电阻系数减低气体供给单元系对基板表面之附近空间供给电阻系数减低气体者。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，上述电阻系数减低气体供给单元包含有气体喷嘴单元，其藉由对基板表面吹附电阻系数减低气体而将基板上之纯水往基板外排除。如申请专利范围第12项之基板处理装置，其中，上述电阻系数减低气体供给单元系兼作为上述纯水排除单元者。如申请专利范围第9项之基板处理装置，其中，上述纯水排除单元包含有基板倾斜机构，其将基板倾斜而使纯水从基板表面流下。