低填充系数之线栅偏光器

摘要

本发明系揭示一种线栅偏光器。在一实例实施例中，一线栅偏光器包括具有一间距(P)、一宽度(W)及一高度(H)之复数个平行导体。在实例实施例中，一填充系数(W/P)大于约0.18，并小于约0.25。在另一实例实施例中，一显示系统包括一光源及一光阀。该显示系统亦包括一线栅偏光器，该线栅偏光器包括具有一间距(P)、一宽度(W)及一高度(H)之复数个平行导体。在若干实例实施例中，一填充系数(W/P)大于约0.18，并小于约0.25。

主权项

一种线栅偏光器，其包含：具有间距(P)、宽度(W)、高度(H)及长度(L)之复数个平行导体；在约0.18至约0.25之范围内之填充系数(W/P)；及大于约10之纵横比(L/P)，其中该线栅偏光器具有在约5：1至约20：1之范围内的消光比。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该高度与该间距之比率在约0.57至约1.43之范围内。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该高度在约80 nm至约200 nm之范围内，且入射于该线栅偏光器上的波长在400 nm至700 nm之范围内之光的透射率大体相同。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中入射于该线栅偏光器上的入射角在约0.0度至约60.0度之范围内之光的该透射率大体相同。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该宽度为由@sIMGCHAR!d10030.TIF@eIMG!给定的平均宽度，其中@sIMGCHAR!d10031.TIF@eIMG!，且i>w/i>0(i>z/i>)为作为高度z之函数的该等导体之宽度。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其进一步包含其上安置有该等复数个导体的基板。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该等复数个平行导体之个别切线的方向与该等平行导体之整体方向成有限角度，且其中该等有限角度小于约10度。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该等导体具有平均长度Lav及平均间距Pav；且以大体上随机的方式彼此平行排列，且具有大于约10的平均纵横比Lav/Pav。如申请专利范围第6项之线栅偏光器，其进一步包含安置于该基板下方之后偏光器。如申请专利范围第9项之线栅偏光器，其中该后偏光器为吸收性偏光器。如申请专利范围第10项之线栅偏光器，其中该线栅偏光器安置于液晶(LC)单元结构中。如申请专利范围第5项之线栅偏光器，其中该高度与该间距之比率在约0.57至约1.43之范围内。如申请专利范围第5项之线栅偏光器，其中该高度在约80 nm至约200 nm之范围内，且入射于该线栅偏光器上的波长在400 nm至700 nm之范围内之光的透射率大体相同。如申请专利范围第5项之线栅偏光器，其中入射于该线栅偏光器上的入射角在约0.0度至约60.0度之范围内之光的该透射率大体上相同。如申请专利范围第5项之线栅偏光器，其进一步包含其上安置有该等复数个导体的基板。如申请专利范围第15项之线栅偏光器，其进一步包含安置于该基板下方之后偏光器。如申请专利范围第16项之线栅偏光器，其中该后偏光器为吸收性偏光器。如申请专利范围第17项之线栅偏光器，其中该线栅偏光器安置于液晶(LC)单元结构中。一种显示装置，其包含：光源；光阀；及线栅偏光器，其包括复数个平行导体，该等复数个导体具有间距(P)、宽度(W)、长度(L)、高度(H)、在约0.18至约0.25之范围内的填充系数(W/P)及大于10的纵横比(L/P)，其中该线栅偏光器具有在约5：1至约20：1之范围内的消光比。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该高度与该间距的比率在约0.57至约1.43之范围内。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该高度在约80 nm至约200 nm之范围内，且入射于该线栅偏光器上的波长在约400 nm至约700 nm之范围内之光的透射率大体相同。如申请专利范围第19项之显示装置，其中入射于该线栅偏光器上的入射角在约0.0度至约60.0度之范围内之光的该透射率大体相同。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该等复数个平行导体之个别切线的方向与该等平行导体之整体方向成有限角度，且其中该等有限角度小于约10度。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该等导体具有平均长度Lav及平均间距Pav；且以大体上随机的方式彼此平行排列，且具有大于约10的平均纵横比Lav/Pav。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该宽度为由@sIMGCHAR!d10033.TIF@eIMG!给定的平均宽度，其中@sIMGCHAR!d10032.TIF@eIMG!，且i>w/i>0(i>z/i>)为作为高度z之函数的该等导体之宽度。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该显示装置进一步包含漫射性反射器。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该显示装置进一步包含四分之一波长延迟器及反射器。如申请专利范围第26项之显示装置，其中总透射率由@sIMGCHAR!d10034.TIF@eIMG!给定，其中Tp为P偏振光之透射率，且Rs为S偏振光之反射率，该P偏振光及该S偏振光分别透射穿过该线栅偏光器及自该线栅偏光器反射。如申请专利范围第27项之显示装置，其中总透射率由i>T/i>2=0.5i>T/i>i>P/i>(1+i>R/i>i>s/i>)给定，其中Tp为该P偏振光之透射率，且Rs为S偏振光之反射率，该P偏振光及该S偏振光分别透射穿过该线栅偏光器及自该线栅偏光器反射。如申请专利范围第19项之显示装置，其进一步包含其上安置有该等复数个导体的基板。如申请专利范围第30项之显示装置，其进一步包含安置于该基板下方之后偏光器。如申请专利范围第31项之显示装置，其中该后偏光器为吸收性偏光器。如申请专利范围第32项之显示装置，其中该线栅偏光器安置于液晶(LC)单元结构中。如申请专利范围第25项之显示装置，其中该高度与该间距的比率在约0.57至约1.43之范围内。如申请专利范围第25项之显示装置，其中该高度在约80 nm至约200 nm之范围内，且入射于该线栅偏光器上的波长在约400 nm至约700 nm之范围内之光的透射率大体相同。如申请专利范围第25项之显示装置，其中入射于该线栅偏光器上的入射角在约0.0度至约60.0度之范围内之光的该透射率大体相同。如申请专利范围第25项之显示装置，其进一步包含其上安置有该等复数个导体的基板。如申请专利范围第37项之显示装置，其进一步包含安置于该基板下方之后偏光器。如申请专利范围第38项之显示装置，其中该后偏光器为吸收性偏光器。如申请专利范围第39项之显示装置，其中该线栅偏光器安置于液晶(LC)单元结构中。如申请专利范围第19项之显示装置，其进一步包含另一线栅偏光器。如申请专利范围第19项之显示装置，其中该线栅偏光器安置于该光源与该光阀之间。如申请专利范围第1项之线栅偏光器，其中该线栅偏光器包含铝、金及银中之一或多者。