发明名称 层状固体系统、彼等于电光装置及结构式系统之应用及其制造方法
摘要 本发明系关于层状固体系统,较佳为透明导电膜之薄结构的层状系统及其制造。导入透明缓冲层以改良MTCFs之蚀刻能力。MTCFs可用作透明电极层,尤其是用于电光显示器如LCDs、PDPs、ELs、LEDs、FEDs及OLEDs。
申请公布号 TWI380102 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW094105264 申请日期 2005.02.22
申请人 富元精密镀膜股份有限公司 发明人 许毅中;徐方运;陈朝贤;伊格 鲍翰
分类号 G02F1/1343 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人 李国光 新北市中和区中正路880号4楼之3;张仲谦 新北市中和区中正路880号4楼之3
主权项 一种层状固体系统,其特征为包含:-基材,-第一固体可蚀刻层,称为第一可蚀刻层,由可蚀刻材料所组成,及-第二固体可蚀刻层,称为缓冲层,位于该基材与该第一固体可蚀刻层之间,由可蚀刻材料所组成,-该缓冲层具有实质上大于该第一可蚀刻层之蚀刻速率。如请求项1之系统,其中-该缓冲层之蚀刻速率以范围为5%或以上至1,000%或以下之量而高于该第一可蚀刻层之蚀刻速率。如请求项1之系统,其中-该第一可蚀刻层与该缓冲层之至少一层为透明层。如请求项3之系统,其中-该第一可蚀刻层与该缓冲层均为透明层。如请求项1之系统,其中-该第一可蚀刻层与该缓冲层之至少一层为导电层。如请求项5之系统,其中-该第一可蚀刻层与该缓冲层均为导电层。如请求项1之系统,其中-该第一可蚀刻层由ITO所组成。如请求项1之系统,其中-该缓冲层系由选自材料AZO、GZO及AGZO之群之材料所组成。如请求项1之系统,其中-该缓冲层之厚度范围为0.1毫微米或以上至50毫微米火以下。如请求项1之系统,其中-导电层在20℃下之片材电阻范围为0.1Ω/□或以上至100Ω/□或以下。如请求项1之系统,其中-系统在550毫微米之透光度为70%或以上。如请求项1之系统,其中-其构成为未由第一与第二可蚀刻层覆盖之基材之区及未由此等层覆盖之区。一种电光装置,其包含如请求项1之系统。一种如请求项1系统之用途,其系用于电光装置。一种制造结构式系统之方法,其系使用如请求项1之层状系统。一种制造电光装置之方法,其特征为,使用如请求项1之系统。一种制造结构式系统之方法,其特征为,基材连续由至少二层可蚀刻层覆盖-首先,由可蚀刻材料所组成之缓冲层覆盖及-其次,由在缓冲层顶部上之所谓第一可蚀刻层之固体层所覆盖,-该缓冲层具有实质上大于该第一可蚀刻层之蚀刻速率。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区中华路124号1楼