半导体装置

摘要

一种包含源极、汲极与耦合该源极与该汲极的通路之半导体装置。该通路是由包含锌、锡和氧的三元化合物组成。该半导体装置进一步包括一被构型成允许电场施加至该通路的闸电极。

主权项

一种半导体装置，其包含：一源极；一汲极；一耦合该源极和该汲极，并且由包含锌、锡和氧的实质上非晶形三元化合物形成的通路；及一被构型成允许一电场施加至该通路的闸电极。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中至少一部份该通路是由具有下列化学计量的锌锡氧化物所形成：锌x锡y氧z(ZnxSnyOz)，其中x、y和z是正的非零数值。如申请专利范围第2项之半导体装置，其中该锌锡氧化物具有下列化学计量：(ZnO)j(SnO2)1-j，其中j是在0.05和0.95之间。一种三埠半导体装置，其包含：一源极；一汲极；一闸电极；及用于提供被配置在该源极和该汲极之间的通路之元件，该用于提供一通路之元件被构型成允许电荷随着施加在该闸电极的电压反应而在该源极与该闸电极之间经其运动，该用于提供通路之元件至少部分是由包含锌、锡和氧的实质上非晶形三元化合物所形成。一种薄膜电晶体，其包含：一闸电极；一由包含锌、锡和氧的实质上非晶形三元化合物所形成的通路层；一配置在该闸电极与该通道层之间并且分离该闸电极与该通道层的介电材料；及第一与第二电极，其彼此隔开并且配置在与该介电材料相反之通路层一侧上，邻接该通路层，使得该通路层是配置在该第一与第二电极之间并且电气分离该第一与第二电极。一种控制一主动式矩阵显示器的方法，其包含：提供一个三埠半导体装置，其中该半导体装置包括一实质上非晶形三元锌锡氧化物通道层，其系被构型成允许电荷根据施加在该半导体装置的闸电极之闸电压，而在该半导体装置的源极和汲极之间传送；及藉由选择性地控制该闸电压而选择性地控制该主动式矩阵显示器的画素的作动与停止动作。一种以半导体为基础的转换方法，其包含：在作动状态与停止动作的状态之间选择性地转换具有实质上非晶形三元锌锡氧化物电荷传送通路层的半导体装置，其中使该装置处在该作动状态中，包括：使该半导体装置的闸电极的电压是在启动电压(turn-on voltage)或高于启动电压，藉此增加该半导体装置之该电荷传送通路层在该半导体装置的源极与汲极之间运送电荷的能力，同时其中使该装置处在该停止动作的状态中，包括：使闸电极的电压是在关断电压，藉此抑制该电荷传送通路层在该源极与汲极之间运送电荷的能力。一种制造薄膜电晶体的方法，其包含：提供一基材；在该基材上沈积一闸电极；在该闸电极上沈积一介电材料；在该介电材料上沈积一通路层，使得该介电材料被设置在该通路层和该闸电极之间，其中该通路层至少部分是由包含锌、锡和氧的实质上非晶形三元化合物形成；及形成邻接该通路层的第一与第二电极，使得该第一与第二电极接触该通路层，但是彼此物理性地分离，并且该通路层使该第一与第二电极与该介电层分离。一种显示器，其包含：多个被构型成集体运作以显示影像之显示器元件，其中该等显示器元件的每一个包括一被构型成控制由该显示器元件发出的光线之半导体装置，该半导体装置包括：一源极；一汲极；一耦合该源极和该汲极并且由包含锌、锡和氧的实质上非晶形三元化合物组成的通路；及一被构型成允许一电场施加至该通路的间电极。