发明名称 一种流体化床预镀反应器及预镀方法
摘要 本发明涉及一种流体化床预镀反应器,其包括一反应室、一阳极、一阴极、及一多孔分布挡板。该反应室底部开设有一镀液进口,用于通入预镀液,该反应室上部侧壁开设有一溢流出口,用于预镀液溢流。该阳极、阴极及多孔分布挡板设置于该镀液进口与溢流出口之间的反应室中,该阳极紧附于该反应室内壁上。本发明还涉及一种流体化床预镀方法。该流体化床预镀反应器及预镀方法突破了传统预镀槽设计与使用方法之限制,使得奈米与微米级微粒亦可以简单实现预镀。
申请公布号 TWI379920 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW095107189 申请日期 2006.03.03
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 萧博元;黄全德
分类号 C23C18/54 主分类号 C23C18/54
代理机构 代理人
主权项 一种流体化床预镀反应器,其包括一反应室、一阳极、一阴极、及一多孔分布挡板,该反应室底部开设有一镀液进口,用于通入预镀液,该反应室上部侧壁开设有一溢流出口,用于预镀液溢流出,该阳极、阴极及多孔分布挡板设置于该镀液进口与该溢流出口之间的反应室中,该镀液进口位于该阳极、阴极及多孔分布挡板的下方,该溢流出口位于该阳极、阴极及多孔分布挡板的上方,该阳极紧附于该反应室内壁上,该阴极为网格状多孔电极,其与该阳极间隔一定距离并水平固定于该反应室内,该阴极用于与待镀微粒相接触以于待镀微粒表面电镀形成预镀层,并透过该预镀液,该多孔分布挡板水平固定于反应室内,且位于该阳极与该阴极之下方,该多孔分布挡板用于放置待镀微粒。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述反应室形状为直立式圆筒状。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述阳极为一环状阳极或一阳极组。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述阳极材质为预镀层金属。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述阴极材质为钛、铂或钯。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述阴极与阳极间隔一定距离并位于阳极上方。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述阴极与阳极间隔一定距离并位于阳极下方。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,还包括一绝缘垫圈,其位于阳极与阴极之间。如申请专利范围第1项所述之流体化床预镀反应器,其中,所述垫圈材质为橡胶或塑料。一种微粒之流体化床预镀方法,其包括如下步骤:提供一如申请专利范围第1至9项任一项所述之流体化床预镀反应器;将流体化床预镀反应器中之阳极与阴极分别与一直流电源之正极与负极相连;将待镀微粒放置于流体化床预镀反应器中,通入预镀液形成流体化床;及流体化床中之待镀微粒与流体化床预镀反应器中之阴极接触,于待镀微粒表面形成预镀层。如申请专利范围第10项所述之流体化床预镀方法,其中,所述待镀微粒粒径为奈米级或微米级。如申请专利范围第10项所述之流体化床预镀方法,其中,流体化床预镀反应器中所形成待镀微粒流体化床之床层高度与阴极所处之高度相同,以使待镀微粒能接触到该阴极。
地址 新北市土城区自由街2号
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