| 主权项 |
一种测试器，其包括：一离子流供应器，其用于将一离子流供应至一基板之一表面，一薄膜电晶体(TFT)之一源极或一汲极其中之一保持打开而在该基板之该表面处被测试，该离子流供应器包括用于将经产生之电离空气供给至该基板之该表面之一电离空气传送单元；一控制电路，其用于供应一运作电压至该TFT闸电极；及一量测电路，其用于量测流过未打开之该源极或该汲极其中之一的一运作电流。根据请求项1之测试器，其进一步包括：一表面电位量测单元，其用于以一非接触方式量测该TFT之保持打开之该源极或该汲极之一表面电位。根据请求项1之测试器，其中该离子流供应器进一步包括：一电晕放电单元，其用于产生该电离空气至该电离空气传送单元。根据请求项2之测试器，其进一步包括：一回馈电路，其用于自该离子流供应器接收该表面电位以控制一离子流速率。根据请求项1之测试器，其进一步包括：离子流屏蔽构件，其用于保护一电极终端免受该离子流之辐射，该电极终端电连接至未打开之该源极或该汲极其中之一以量测该运作电流。一种薄膜电晶体(TFT)阵列基板测试器，其包括：一离子流供应装置，其用于供应一离子流至一形成有一TFT阵列之基板之一表面，每一TFT各自地连接至保持打开之一源极或一汲极其中之一；一控制电路，其用于供应一运作电压至该阵列中欲被测试之该TFT之闸电极；一量测电路，其用于量测流过未打开之该源极或该汲极其中之一的一运作电流；及一离子流屏蔽，其用于保护一电极免受该离子流之辐射，该电极电连接至未打开之该源极或该汲极其中之一以量测该运作电流。根据请求项6之TFT测试器，其进一步包括：一表面电位量测单元，其用于以一非接触方式量测保持打开之该源极或该汲极之一表面电位。根据请求项7之TFT测试器，其进一步包括：一计算单元，其用于根据该运作电压、该运作电流及该表面电位来获得该测试TFT之电特性。根据请求项6之TFT测试器，其中该离子流供应装置包括：一电晕放电单元，其用于产生电离空气；及一电离空气传送单元，其用于将该电离空气供给至该基板之该表面。根据请求项7之TFT测试器，其进一步包括：一回馈电路，其用于自该离子流供应装置接收该表面电位以控制一离子流速率。一种经客制化以测试薄膜电晶体(TFT)之测试方法，其包括如下步骤：(a)准备一形成有一TFT之基板，其中该TFT之一源极或一汲极其中之一保持打开；(b)供应一离子流至形成有该TFT之该基板之一表面；(c)供应一运作电压至一TFT闸电极；(d)藉由未打开之该源极或该汲极来量测一运作电流；(e)使用该TFT之该运作电压或该运作电流之至少一者以检查其电特性；及(f)基于保持打开之该源极或该汲极之一表面电位来控制欲被供应至该基板之该表面之一离子流速率。根据请求项11之测试方法，其进一步包括如下步骤：量测保持打开之该源极或该汲极之该表面电位。一种薄膜电晶体(TFT)阵列基板测试方法，其包括如下步骤：(a)准备一形成有一TFT阵列之基板，每一TFT皆在其一源极或一汲极其中之一保持打开之情况下连接至一电极；(b)供应一离子流至形成有该TFT阵列之该基板之一表面；(c)供应一运作电压至该阵列中欲测试之一测试TFT之一闸电极；(d)量测其源极或汲极其中之一未打开之该测试TFT之一运作电流；(e)量测保持打开之该源极或该汲极之一表面电位；及(f)基于经量测之该表面电位来控制欲被供应至该基板之该表面之一离子流速率。根据请求项13之测试方法，其进一步包括如下步骤：根据该运作电压、该运作电流及该表面电位来检查该测试TFT之电特性。根据请求项13之测试方法，其进一步包括如下步骤：重复该量测步骤(d)及(e)，直至关于该阵列内所有该等TFT之量测均结束。 |
