| 主权项 |
一种用于组态辐射源以同步照射一基板之方法，该方法包含：指定J个电磁辐射源，其中该J个源中之每一源系以其发射辐射之波长与角分布的一不同函数为特征，该J@sIMGCHAR!d10031.TIF@eIMG!2；指定该基板，该基板包含一基础层及在该基础层上之I个堆叠，该I@sIMGCHAR!d10032.TIF@eIMG!2，其中Pj表示一来自源j之在每一堆叠上之相同的垂直入射能通量，使得Pj特定于源j，j＝1、2、...、J；指定一目标能通量Si，该目标能通量Si系以经由每一堆叠i而透射至该基板中为目标，使得Si特定于每一堆叠i；及对于该I个堆叠至来自该J个源之电磁辐射之同步曝光，计算每一Pj，使得一为|W1－S1|、|W2－S2|、...、|WI－SI|之一函数之误差E相对于Pj大约最小化，j＝1、2、...、J，其中Wi表示一经由堆叠i而透射至该基板中之实际能通量，i＝1、2、...、及I。如请求项1之方法，其中E＝Σi(Wi－Si)2，其中Σi表示在i上自i＝1至i＝I之一求和。如请求项1之方法，其中该方法进一步包含指定透射系数Tij，其中Tij为该能通量Pj之经由堆叠i而透射至该基板中之部分，且其中Wi＝ΣjTijPj，使得Σj表示在j上自j＝1至j＝J之一求和。如请求项1之方法，其中该方法进一步包含分析该误差，该分析包含：确定E是否超过一指定最大误差EMAX；若该确定确定E不超过EMAX，则结束该方法；若该确定确定E超过EMAX，则修改该基板或修改该等源，接着迭代地执行该计算及该分析，直至E不超过EMAX为止或直至已执行该计算及该分析之最大指定数目之迭代为止，其中该修改该基板包含将一介电层添加至该基板之一顶部表面，使得该经添加之介电层直接曝光于该辐射，且其中该修改该等源包含利用J'个源来替代该J个源，使得J'@sIMGCHAR!d10033.TIF@eIMG!2且该J'个源全体不同于该J个源。如请求项4之方法，其中该确定确定在该计算及该分析之一唯一迭代期间E不超过EMAX，其中该修改该等源系在该唯一迭代期间加以执行，且其中在该唯一迭代期间利用J'个源来替代该J个源之该替代系以J'>J为条件。如请求项4之方法，其中该确定确定在该计算及该分析之一唯一迭代期间E不超过EMAX，其中该修改该等源系在该唯一迭代期间加以执行，且其中在该唯一迭代期间利用J'个源来替代该J个源之该替代系以J'＝J为条件，使得在该唯一迭代期间改变相对于该J个源中之至少一源之波长的功率谱。如请求项4之方法，其中该确定确定在该计算及该分析之一唯一迭代期间E不超过EMAX，其中该修改该等源系在该唯一迭代期间加以执行，且其中在该唯一迭代期间利用J'个源来替代该J个源之该替代系以J'＝J为条件，使得在该唯一迭代期间改变该J个源中之至少一源之辐射功率的该角分布。如请求项1之方法，其中该方法进一步包含自该等经计算之能通量Pj(j＝1、2、...、J)计算该J个源中之每一源之源功率。如请求项8之方法，其中该方法进一步包含调整该J个源之该经计算之源功率以满足该基板上之一指定设计条件。一种电脑程式产品，其包含一电脑可用媒体，该电脑可用媒体具有一体现于其中之电脑可读程式码，该电脑可读程式码包含一经调适成实施如请求项1之方法之演算法。一种用于藉由复数个辐射源同步照射一基板之方法，该方法包含：提供J个电磁辐射源，该J个源中之每一源系以其发射辐射之波长与角分布的一不同函数为特征，该J@sIMGCHAR!d10034.TIF@eIMG!2；提供该基板，该基板包含一基础层及在该基础层上之I个堆叠，该I@sIMGCHAR!d10035.TIF@eIMG!2，其中Pj表示一来自源j之在每一堆叠上之相同的垂直入射能通量，使得Pj特定于源j，j＝1、2、...、J；及在一曝光步骤中将该I个堆叠同时曝光于来自该J个源之电磁辐射，使得满足一第一条件及一第二条件中之至少一者；其中该第一条件为：使一为|W1－S1|、|W2－S2|、...、|WI－SI|之一函数之误差E相对于Pj大约最小化，j＝1、2、...、J，其中Si表示一指定目标能通量，该目标能通量系以经由每一堆叠i而透射至该基板中为目标，使得Si特定于每一堆叠i，i＝1、2、...、I，其中Wi表示一经由堆叠i而透射至该基板中之实际能通量，i＝1、2、...、及I；其中该第二条件为该基板上之一关于该基板之一装置参数的指定设计条件。如请求项11之方法，其中E＝Σi(Wi－Si)2，其中Σi表示在i上自i＝1至i＝I之一求和。如请求项11之方法，其中Wi＝ΣjTijPj，使得Σj表示自j＝1至j＝J之一求和，且其中Tij为该能通量Pj之经由堆叠i而透射至该基板中之部分，i＝1、2、...、及I。如请求项11之方法，其中满足该第一条件。如请求项11之方法，其中满足该第二条件。如请求项11之方法，其中J＝I。如请求项11之方法，其中J≠I。如请求项11之方法，其中该J个源中之一第一源为单色的。如请求项11之方法，其中该J个源中之一第一源为多色的。如请求项11之方法，其中来自该J个源中之一第一源之该电磁辐射为单向的且垂直入射在该I个堆叠上。如请求项11之方法，其中来自该J个源中之一第一源之该电磁辐射不垂直入射在该I个堆叠上。一种用于藉由复数个辐射源同步照射一基板之系统，该基板包含一基础层及在该基础层上之I个堆叠，该系统包含：J个电磁辐射源，该J个源中之每一源系以其发射辐射之波长与角分布的一不同函数为特征，该J@sIMGCHAR!d10036.TIF@eIMG!2；及用于在一曝光步骤中将该I个堆叠同时曝光于来自该J个源之电磁辐射以使得满足一第一条件及一第二条件中之至少一者的构件，其中I@sIMGCHAR!d10037.TIF@eIMG!2，且其中Pj表示一来自源j之在每一堆叠上之相同的垂直入射能通量，使得Pj特定于源j，j＝1、2、...、J；其中该第一条件为：使一为|W1－S1|、|W2－S2|、...、|WI－SI|之一函数之误差E相对于Pj大约最小化，j＝1、2、...、J，其中Si表示一指定目标能通量，该目标能通量系以经由每一堆叠i而透射至该基板中为目标，使得Si特定于每一堆叠i，i＝1、2、...、I，其中Wi表示一经由堆叠i而透射至该基板中之实际能通量，i＝1、2、...、及I；其中该第二条件为该基板上之一关于该基板之一装置参数的指定设计条件。如请求项22之系统，其中E＝Σi(Wi－Si)2，其中Σi表示在i上自i＝1至i＝I之一求和。如请求项22之系统，其中Wi＝ΣjTijPj，使得Σj表示自j＝1至j＝J之一求和，且其中Tij为该能通量Pj之经由堆叠i而透射至该基板中之部分，i＝1、2、...、及I。如请求项22之系统，其中满足该第一条件。如请求项22之系统，其中满足该第二条件。 |
