滚筒状晶圆加工用黏着片

摘要

本发明之目的系提供一种滚筒状晶圆加工用黏着片，其具有优异之保存安定性、放射线硬化性、及对晶圆之低污染性者。又一目的系提供裁切该滚筒状晶圆加工用黏着片而成之晶圆加工用黏着片，及附有半导体晶圆之黏着片。再者，再一目的系提供使用晶圆加工用黏着片或附有半导体晶圆之黏着片之半导体元件之制造方法，及以该制造方法所得之半导体元件。;一种滚筒状晶圆加工用黏着片，其系将基材膜、放射线硬化型黏着剂层及离型膜以此顺序层合之层合膜经多重卷绕者，其特征在于：上述基材膜及/或离型膜与放射线硬化型黏着剂层接触之面之另一面侧之表面之算数平均粗糙度(Ra)为1 μm以上，且含于上述放射线硬化型黏着剂中之自由基聚合抑制剂之重量为未满1000 ppm。

主权项

一种滚筒状晶圆加工用黏着片，其系将基材膜、放射线硬化型黏着剂层及离型膜以此顺序层合之层合膜经多重卷绕者，其特征在于：上述基材膜及/或离型膜之与放射线硬化型黏着剂层接触之面之另一面侧之表面之算数平均粗糙度(Ra)为1 μm以上，且含于上述放射线硬化型黏着剂层中之自由基聚合抑制剂之重量为未满1000 ppm，其中上述基材膜及/或离型膜之与放射线硬化型黏着剂层接触之面之另一面侧之表面之十点平均粗糙度(Rz)为8 μm以上。一种滚筒状晶圆加工用黏着片，其系将基材膜、放射线硬化型黏着剂层及离型膜以此顺序层合之层合膜经多重卷绕者，其特征在于：上述基材膜或离型膜之与放射线硬化型黏着剂层接触之面之另一面侧之间层合有间纸膜，该间纸膜之一侧或两侧的表面之算数平均粗糙度(Ra)为1 μm以上，且上述放射线硬化型黏着剂层中所含之自由基聚合抑制剂之重量为未满1000 ppm，其中上述间纸膜之一面侧或两侧表面之十点平均粗糙度(Rz)为8 μm以上。一种晶圆加工用黏着片，其系配合半导体晶圆之形状裁切请求项1或2之滚筒状晶圆加工用黏着片而成者。一种附有半导体晶圆之黏着片之制造方法，其包含：使如请求项1或2之滚筒状晶圆加工用黏着片之放射线硬化型黏着剂层贴合半导体晶圆之程序；配合半导体晶圆之形状裁切上述黏着片之程序。一种半导体元件之制造方法，其特征在于：于半导体晶圆上贴合如请求项3之晶圆加工用黏着片之放射线硬化型黏着剂层之状态对半导体晶圆施以加工。一种半导体元件之制造方法，其特征在于对如请求项4之方法所制造之附有半导体晶圆之黏着片之半导体晶圆施以加工。