电子元件制造方法以及电子元件

摘要

一种电子元件之制造方法，是将奈米碳管或棒状之微小半导体结晶等之微小主动元件材料固设于电子元件中之特定位置，其包括使微小主动元件材料散布于介电性之液体中，这液体装满在对向配置的被加工基板与形成有特定之图案电极之光罩之空间内，藉由施加特定之电位至图案电极，使微小主动元件材料聚集在对应于图案电极之位置。在该状态，照射光至被加工基板及上述液体中之微小主动元件材料，藉由光化学反应，将微小主动元件材料固设于被加工基板上等步骤。所以可以便宜地使用奈米碳管或棒状之微小半导体结晶而制造高性能的电子元件。

主权项

一种电子元件制造方法，包括：使至少一个特定之电极所形成之光罩接近被加工基板之制程；在前述被加工基板与前述光罩之间，充填含有微粒状之主动元件构件之介电性液体之制程；在前述特定之电极施加特定之电压之制程；以及将前述液体中之前述主动元件构件固设于前述被加工基板之制程。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述主动元件构件为微粒棒状之主动元件材料。如申请专利范围第2项所述之电子元件制造方法，其中前述主动元件构件更包括包围前述微粒棒状之主动元件材料之绝缘材料。如申请专利范围第2项所述之电子元件制造方法，其中前述主动元件材料为奈米碳管。如申请专利范围第2项所述之电子元件制造方法，其中前述主动元件材料为微粒棒状之半导体。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述主动元件构件是在其外周具有光反应性物质。如申请专利范围第6项所述之电子元件制造方法，其中前述光反应性物质是选自于羧基、磺基、羟基、氟及其组合其中之一。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述被加工基板是在其表面具有光反应性物质。如申请专利范围第8项所述之电子元件制造方法，其中前述光反应性物质是选自于羧基、磺基、羟基、氟及其组合其中之一。如申请专利范围第6项所述之电子元件制造方法，其中将前述液体中之前述主动元件构件固设于前述被加工基板之制程，是包括对前述介电性之液体及前述被加工基板进行光的照射。如申请专利范围第10项所述之电子元件制造方法，其中前述光罩上之前述电极在将前述主动元件构件固设于前述被加工基板之制程中，其对于光而言是透明电极。如申请专利范围第11项所述之电子元件制造方法，其中前述透明电极是由金属氧化物或金属氮化物所构成。如申请专利范围第11项所述之电子元件制造方法，其中前述透明电极是由钻石膜所构成。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述光罩上之前述电极是邻接配置施加正电位之正电极与施加负电位之负电极之复合电极。如申请专利范围第14项所述之电子元件制造方法，其中施加于前述复合电极之电位为交流电位。如申请专利范围第14项所述之电子元件制造方法，其中前述复合电极包括：第1电极，其是往施加第1电位之一方向而延伸；以及第2电极，其是用以施加与第1电位极性相反之第2电位，配置于前述第1电极之两侧且与前述第1电极平行。如申请专利范围第16项所述之电子元件制造方法，其中施加于前述复合电极之电位为交流电位。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述介电体液体包括以水为主成分之液体。如申请专利范围第1项所述之电子元件制造方法，其中前述介电体液体包括以有机溶剂为主成分之液体。如申请专利范围第1至19项任一项所述之电子元件制造方法，更包括将前述主动元件构件作为电晶体之制程。一种电子元件，其利用申请专利范围第1至19项任一项所述之电子元件制造方法所制造。一种电子元件，其利用申请专利范围第20项之电子元件制造方法所制造。如申请专利范围第1至19项任一项所述之电子元件制造方法，其中前述电子元件为记忆体元件。如申请专利范围第1至19项任一项所述之电子元件制造方法，其中前述电子元件为显示元件。