| 主权项 |
一种绝缘膜之形成方法，系包含有下述步骤：在基材上形成聚矽氧烷系绝缘膜的步骤；在上述聚矽氧烷系绝缘膜上，形成聚碳矽烷(poly carbosilane)系绝缘膜的步骤；以及在上述聚碳矽烷系绝缘膜上，形成有机系绝缘膜的步骤；其特征为，上述聚矽氧烷系绝缘膜系将从依下述一般式(1)~(3)所示化合物的组群中所选出之至少1种的矽烷化合物，施行水解缩合而形成；RaSi(OR1)4-a………(1)(式中，R系指氢原子、氟原子或一价有机基；R1系指一价有机基；a系指1~2整数；)Si(OR2)4………(2)(式中，R2系指一价有机基；)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c………(3) [式中，R3~R6系相同或互异，分别为一价有机基；b与c系指相同或互异的0~2之数；R7系指氧原子、伸苯基或-(CH2)m-所示的基(其中，m系指1~6之整数)；d系指0或1；]上述聚碳矽烷系绝缘膜系将下述一般式(4)所示聚碳矽烷化合物溶解于溶剂中所获得之溶液进行涂布后，再将涂膜施行加热而形成；@sIMGTIF!d10044.TIF@eIMG!(式中，R8~R11系指相同或互异，为氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、磺酸基(sulfo group)、甲磺酸基、三氟甲磺酸基、一价有机基；R12~R14系相同或互异，为取代或非取代之伸烷基、烯基、炔基、伸芳香基；x、y、z系指0~10,000之整数，且满足10<x+y+z<20,000的条件)。如申请专利范围第1项之绝缘膜之形成方法，其中，上述有机系绝缘膜系在将具有全芳香族高分子(polyarylene)、聚芳香基醚、聚@sIMGCHAR!d10057.TIF@eIMG!唑啉、及聚苯并环丁烯骨架的聚合物之至少1种溶解或分散于溶剂中而获得的溶液进行涂布之后，再将涂膜施行加热而形成。一种绝缘膜，系包含有下述构成：在基材上所形成的聚矽氧烷系绝缘膜；在上述聚矽氧烷系绝缘膜上所形成的聚碳矽烷系绝缘膜；以及在上述聚碳矽烷系绝缘膜上所形成的有机系绝缘膜；其特征为，上述聚矽氧烷系绝缘膜系将从下述一般式(1)~(3)所示化合物的组群中所选出之至少1种的矽烷化合物，施行水解缩合而形成；RaSi(OR1)4-a………(1)(式中，R系指氢原子、氟原子或一价有机基；R1系指一价有机基；a系指1~2之整数；)Si(OR2)4………(2)(式中，R2系指一价有机基；)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c………(3) [式中，R3~R6系相同或互异，分别为一价有机基；b与c系指相同或互异的0~2之数；R7系指氧原子、伸苯基或-(CH2)m-所示的基(其中，m系指1~6之整数)；d系指0或1；]上述聚碳矽烷系绝缘膜系将下述一般式(4)所示聚碳矽烷化合物溶解于溶剂中所获得之溶液进行涂布后，再将涂膜施行加热而形成；@sIMGTIF!d10045.TIF@eIMG!(式中，R8~R11系相同或互异，为氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、磺酸基、甲磺酸基、三氟甲磺酸基、一价有机基；R12~R14系相同或互异，为取代或非取代之伸烷基、烯基、炔基、伸芳香基；x、y、z系指0~10,000之整数，且满足10<x+y+z<20,000的条件)。如申请专利范围第3项之绝缘膜，其中，上述有机系绝缘膜系在将全芳香族高分子、聚芳香基醚、聚@sIMGCHAR!d10058.TIF@eIMG!唑啉、及聚苯并环丁烯的至少1种溶解或分散于溶剂中而获得的溶液进行涂布之后，再将涂膜施行加热而形成。 |
