发明名称 正型光阻材料及图型之形成方法
摘要 本发明之正型光阻材料,其系含有:藉由酸之作用成为可溶于硷显像液的树脂成分(A)及感应活性光线或辐射线产生酸的化合物(B),其中树脂成分(A)为具有下述一般式(1)表示之重复单位的高分子化合物,;(I);(式中,R1系氢原子、甲基或三氟甲基。R2系氢原子或CO2R4基。R3系碳数1~15之含氟取代基。R4系可含有杂原子之碳数1~20之一价烃基。m为1或2。n为1或2。a、b、c、d系各重复单位的存在比,a、b、c、d系超过0未达1之数,a+b+c+d=1)。;本发明之光阻材料系在微细加工技术,特别是ArF微影技术中,具有极高解像性,且可提供LER较小的图型。
申请公布号 TWI380131 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW096145148 申请日期 2007.11.28
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 关明宽;田中惠生;竹村胜也;西恒宽
分类号 G03F7/039 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种正型光阻材料,其特征系含有藉由酸之作用成为可溶于硷显像液的树脂成分(A),及感应活性光线或辐射线而产生酸的化合物(B),其中树脂成分(A)为具有下述一般式(1)表示之重复单位的高分子化合物,@sIMGTIF!d10054.TIF@eIMG!(式中,R1系分别独立表示氢原子、甲基或三氟甲基,R2系表示氢原子或CO2R4基,R4系表示可含有杂原子之碳数1~20之直链状、支链状或环状之一价烃基,m为1或2;n为1或2;含有R3之重复单位d系选自下述重复单位,@sIMGTIF!d10055.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10056.TIF@eIMG!a、b、c、d系分别表示各重复单位的存在比,a、b、c、d系超过0未达1之数,a+b+c+d=1)。一种图型之形成方法,其特征系含有:将申请专利范围第1项之光阻材料涂布于基板上的步骤;加热处理后,介由光罩以高能量线或电子线曝光的步骤;加热处理后,使用显像液进行显像的步骤。一种图型之形成方法,其系含有:将申请专利范围第1项之光阻材料涂布于基板上的步骤;加热处理后,介由光罩以高能量线或电子线曝光的步骤;加热处理后,使用显像液进行显像之步骤之形成图型的步骤中,将折射率1以上之液体介于光阻涂布膜与投影透镜之间,进行浸润式曝光。一种图型之形成方法,其系含有:将申请专利范围第1项之光阻材料涂布于基板上的步骤;加热处理后,介由光罩以高能量线或电子线曝光的步骤;加热处理后,使用显像液进行显像之步骤之形成图型的步骤中,在光阻涂布膜上再形成保护膜,将折射率1以上之液体介于该保护膜与投影透镜之间,进行浸润式曝光。
地址 日本