封装结构及其制造方法

摘要

一种封装结构及其制造方法。此封装结构包括一基板、一第一晶片、一盖体结构、第二晶片以及一封装材料层。基板具有一开口，第一晶片设置于开口内，并且电性连接于基板。盖体结构设置于基板上对应第一晶片处。第二晶片设置于盖体结构上，并且电性连接于基板。封装材料层设置于基板上，封装材料层系覆盖第一晶片、盖体结构及第二晶片。

主权项

一种封装结构之制造方法，包括：提供一基板，该基板具有一开口；提供一胶膜于该基板之一下表面，该开口系暴露部分之该胶膜；黏贴一第一晶片于该胶膜上；设置一盖体结构于该基板上对应该第一晶片处；设置一第二晶片于该盖体结构上；形成一封装材料层于该基板上，该封装材料层系紧密地覆盖该第一晶片、该盖体结构及该第二晶片；以及移除该胶膜。如申请专利范围第1项所述之制造方法，于该黏贴步骤之后更包括：打线接合该第一晶片及该基板。如申请专利范围第1项所述之制造方法，于该设置该第二晶片步骤之后更包括：打线接合该第二晶片及该基板。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中该基板包括：一导线，系导通该基板之一上表面及该下表面，该导线之一端系连接于该盖体结构。如申请专利范围第4项所述之制造方法，于该形成步骤之后更包括：配置一接地焊球于该下表面，且该导线之另一端系连接于该接地焊球。如申请专利范围第1项所述之制造方法，于移除该胶膜步骤之后更包括：配置一散热片于该第一晶片下方。一种封装结构，包括：一基板；一第一晶片，设置于该基板上，且电性连接于该基板；一盖体结构，设置于该基板上对应该第一晶片处；一第一封装材料层，设置于该基板上，该第一封装材料层系紧密地覆盖该第一晶片及该盖体结构；一第二晶片，设置于该第一封装材料层上，且电性连接于该基板；以及一第二封装材料层，设置于该基板上，且紧密地覆盖该第一封装材料层及该第二晶片。如申请专利范围第7项所述之封装结构，其中该第一晶片系藉由一焊线打线接合于该基板，以电性连接该基板。如申请专利范围第8项所述之封装结构，其中该盖体结构具有一高度，使该盖体结构之顶面与该焊线具有一距离。如申请专利范围第7项所述之封装结构，更包括：一接地焊球，设置于该基板之一下表面；及一导线，系导通该基板之一上表面及该下表面，该导线之一端系连接于该盖体结构，该导线之另一端系连接于该接地焊球。如申请专利范围第10项所述之封装结构，其中盖体结构系为导电材质，且经由该导线及该接地焊球电性连接至一接地面。如申请专利范围第7项所述之封装结构，其中该第二晶片系以打线接合之方式电性连接该基板。如申请专利范围第7项所述之封装结构，其中该第一晶片系藉由一第一黏着层设置于该基板上，该第二晶片系藉由一第二黏着层设置于该第一封装材料上。如申请专利范围第13项所述之封装结构，其中该第一黏着层及该第二黏着层系分别为一导电银胶层。如申请专利范围第7项所述之封装结构，其中该第二晶片之面积大于该第一晶片之面积。一种封装结构之制造方法，包括：提供一基板；配置一第一晶片于该基板上，该第一晶片电性连接于该基板；设置一盖体结构于该基板上对应该第一晶片处；形成一第一封装材料层于该基板上，该第一封装材料层系覆盖该第一晶片及该盖体结构；配置一第二晶片于该第一封装材料层上，该第二晶片电性连接于该基板；以及形成一第二封装材料层于该基板上，该第二封装材料层系覆盖该第一封装材料层及该第二晶片。如申请专利范围第16项所述之制造方法，于该配置该第一晶片步骤之后更包括：打线接合该第一晶片及该基板。如申请专利范围第16项所述之制造方法，于该配置该第二晶片步骤之后更包括：打线接合该第二晶片及该基板。如申请专利范围第16项所述之制造方法，其中该基板包括：一导线，系导通该基板之一上表面及一下表面，该导线之一端系连接于该盖体结构。如申请专利范围第19项所述之制造方法，于该形成该第二封装材料层步骤之后更包括：配置一接地焊球于该基板之该下表面，该导线之另一端系连接于该接地焊球。如申请专利范围第20项所述之制造方法，其中盖体结构系为导电材质，且经由该导线及该接地焊球电性连接至一接地面。