| 主权项 |
一种半导体基板处理系统，其包括：一分配头，其具有一穿过其中之通道、一入口开口、至少一出口开口，及一排放开口，该通道互连该入口开口、该至少一出口开口与该排放开口；一第一阀，其连接至该入口开口；及一第二阀，其连接至该排放开口，当该第一阀打开且该第二阀关闭时，一流体流入该入口开口，经由该通道，并自该至少一出口开口流出，当该第一阀关闭且该第二阀打开时，该流体自该通道流出该排放开口，相对于该通道之底部，该排放开口之高度低于该至少一出口开口的高度。如请求项1之系统，其中该通道具有一底部，该入口开口位于该通道之该底部上方的一第一高度处，该至少一出口开口位于该通道上方之一第二高度处，该第二高度小于该第一高度，且该排放开口位于该通道之该底部上方的一第三高度处，该第三高度小于该第二高度。如请求项2之系统，其中当该第一阀关闭且该第二阀打开时，无流体自该通道流出该出口开口。如请求项3之系统，其中该排放开口具有一至少为0.10英寸之直径。如请求项4之系统，其中该排放开口邻接于该通道之该底部。如请求项5之系统，进一步包括一泵，其具有一低压侧及一高压侧，该低压侧连接至该第二阀。如请求项6之系统，进一步包括：一框架；及一基板支撑件，其附着至该框架以支撑一半导体基板，该分配头系连接至该框架并悬于一相对于该基板之经选定的位置中。如请求项7之系统，其中当该第一阀打开且该第二阀关闭时，该流体流入该入口开口，经由该通道，流出该至少一出口开口，并流至该半导体基板上。如请求项8之系统，其中该流体为一半导体处理液。如请求项9之系统，其中该分配头可相对于该基板支撑件移动。一种半导体基板处理系统，包括：一分配头，其具有一穿过其中之通道、一入口开口、至少一出口开口，及一排放开口，该通道互连该入口开口、该至少一出口开口与该排放开口；一第一阀，其连接至该入口开口；一第二阀，其连接至该排放开口；及一泵，其具有一低压侧及一高压侧，该低压侧连接至该第二阀，当该第一阀打开且该第二阀关闭时，一流体流入该入口开口，经由该通道，并自该至少一出口开口流出，当该第一阀关闭且该第二阀打开时，该流体自该通道流出该排放开口，相对于该通道之底部，该排放开口之高度低于该至少一出口开口的高度。如请求项11之系统，其中当该第一阀关闭且该第二阀打开时，无流体自该通道流出该出口开口。如请求项12之系统，其中该排放开口邻接于该通道之底部。如请求项13之系统，进一步包括：一框架；及一基板支撑件，其附着至该框架以支撑一半导体基板，该分配头连接至该框架并悬于一相对于该基板之经选定的位置中。如请求项14之系统，其中当该第一阀打开且该第二阀关闭时，该流体流入该入口开口，经由该通道，自该至少一出口开口流出，并流至该半导体基板上。一种半导体基板处理装置，包括：一框架；一基板支撑件，其附着至该框架以支撑一半导体基板；一分配头，其可移动地连接至该框架并悬于一相对于该半导体基板之经选定的位置中，该分配头具有一底部件、一入口开口，其位于该底部件上方之一第一高度处、至少一出口开口，其位于该底部件上方之一第二高度处，该第二高度小于该第一高度、一排放开口，其位于该底部件上方之一第三高度处，该第三高度小于该第二高度、及一穿过其中之通道，该通道互连该入口开口、该至少一出口开口与该排放开口；一第一阀，其连接至该入口开口；及一第二阀，其连接至该排放开口，当该第一阀打开且该第二阀关闭时，一流体流入该入口开口，经由该通道，并自该出口开口流出，当该第一阀关闭且该第二阀打开时，该流体自该通道流出该排放开口。如请求项16之半导体基板处理装置，其中当该第一阀打开且该第二阀关闭时，该流体流入该入口开口，经由该通道，自该至少一出口开口流出，并流至该半导体基板上。如请求项17之半导体基板处理装置，其中当该第一阀关闭且该第二阀打开时，无流体自该通道流出该出口开口。如请求项18之半导体基板处理装置，其中该分配头系悬于该半导体基板上方。如请求项19之半导体基板处理装置，其中该排放开口具有一至少为0.10英寸之直径。一种半导体基板处理装置，包括：一框架；一基板支撑件，其附着至该框架以支撑一半导体基板；一分配头，其连接至该框架并悬于该半导体基板上方，该分配头具有一底部件、一入口开口，其位于该底部件上方之一第一高度处、复数个出口开口，其位于该底部件上方之一第二高度处，该第二高度小于该第一高度、复数个喷管，每一喷管连接至一个别出口开口、一排放开口，其位于该底部件上方之一第三高度处，该第三高度小于该第二高度、及一穿过其中之通道，该通道互连该入口开口、该等复数个出口开口与该排放开口；一第一阀，其连接至该入口开口；一第二阀，其连接至该排放开口；及一泵，其具有一低压侧及一高压侧，该低压侧连接至该第二阀，当该第一阀打开且该第二阀关闭时，一流体流入该入口开口，经由该通道及该等复数个出口开口，自该等复数个喷管流出，并流至该半导体晶圆上，当该第一阀关闭且该第二阀打开时，该流体自该通道流出该排放开口，且无流体自该通道流出该等复数个喷管。一种半导体基板处理方法，包括：将一打开之第一阀连接至一分配头上之一第一开口；将一关闭之第二阀连接至该分配头上之一第二开口，一流体经由该第一开口流入该分配头之一通道中，并经由一第三开口流出该分配头；及关闭该第一阀并打开该第二阀，以便自该分配头经由该第二开口排出该流体。如请求项22之方法，其中该通道具有一底部，该入口位于该通道之该底部上方之一第一高度处，该至少一出口开口位于该通道上方之一第二高度处，该第二高度小于该第一高度，且该排放开口位于该通道之该底部上方之一第三高度处，该第三高度小于该第二高度。如请求项22之方法，进一步包括将一泵之一低压侧连接至该第二阀，当该第一阀关闭且该第二阀打开时，该流体自该分配头流经该第二阀并进入该泵中。 |
