结合低耐受／效能与高耐受／效能资讯储存以支援资料处理之方法与装置

摘要

本发明以一明智地使用低耐受(或效能)储存器之方式管理一结合高耐受(或效能)储存器与低耐受(或效能)储存器之资讯储存配置。因此，有可能利用与低耐受(或效能)储存器相关联之经济优点，同时亦避免否则将与低耐受(或效能)储存器相关联之储存容量损失。

主权项

一种用于将资讯自一高耐受记忆体保存(archiving)至一低耐受记忆体之装置，该装置包含：一高耐受记忆体；一低耐受记忆体；及一控制器，其操作以：(a)确定该高耐受记忆体中之可用储存容量是否处于一临限量值；(b)若该高耐受记忆体中之该可用储存容量处于该临限量值：(b1)撷取储存于该高耐受记忆体中之资讯；及(b2)将该资讯写入至该低耐受记忆体中，其中该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系为非挥发半导体记忆体；及耐受系指该非挥发半导体记忆体可确实程式化之次数。如请求项1之装置，其中该控制器进一步操作以使该高耐受记忆体中储存该资讯之位置可用。如请求项1之装置，其中该控制器进一步操作以选择该资讯以自该高耐受记忆体中撷取。如请求项3之装置，其中该控制器进一步操作以基于一选择条件选择该资讯，以自该高耐受记忆体中撷取。如请求项4之装置，其中该选择条件包含改变。如请求项4之装置，其中该选择条件包含被删除。如请求项4之装置，其中该选择条件包含该资讯之存取历史。如请求项7之装置，其中该存取历史包含写入存取历史。如请求项7之装置，其中该存取历史包含读取存取历史。如请求项7之装置，其中该存取历史包含写入存取历史与读取存取历史之一组合。如请求项4之装置，其中该选择条件包含一最不频繁存取标准。如请求项4之装置，其中该选择条件包含一最近最少存取标准。如请求项4之装置，其中该选择条件包含一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项1之装置，其中该控制器进一步操作以重复(a)及(b)。如请求项1之装置，其中该控制器进一步操作以在(a)之前确定应将该资讯储存于该高耐受记忆体中而不储存于该低耐受记忆体中。如请求项1之装置，其中该装置经组态以用于可移除地连接至一主机装置。如请求项1之装置，其中该高耐受记忆体及该低耐受记忆体为一记忆体之实体分割区。如请求项1之装置，其中该高耐受记忆体包含一可重写记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体。如请求项1之装置，其中该高耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一一次性可程式记忆体。一种用于将资讯自一高耐受记忆体保存至一低耐受记忆体之装置，该装置包含：一高耐受记忆体；一低耐受记忆体；及一控制器，其操作以：(a)确定该高耐受记忆体是否太满；(b)若该高耐受记忆体太满：(b1)选择资讯以自该高耐受记忆体中撷取；(b2)自该高耐受记忆体中撷取该资讯；(b3)将该资讯写入至该低耐受记忆体中；及(b4)使该高耐受记忆体中储存该资讯之位置可用，其中该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系为非挥发半导体记忆体；及耐受系指该非挥发半导体记忆体可确实程式化之次数。如请求项20之装置，其中该资讯系基于以下项中之一或多者来选择：改变、被删除、存取历史、写入存取历史、读取存取历史、写入存取历史与读取存取历史之一组合、一最不频繁存取标准、一最近最少存取标准，及一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项20之装置，其中该控制器进一步操作以重复(a)及(b)。如请求项20之装置，其中该控制器进一步操作以在(a)之前确定应将该资讯储存于该高耐受记忆体中而不储存于该低耐受记忆体中。如请求项20之装置，其中该装置经组态以用于可移除地连接至一主机装置。如请求项20之装置，其中该高耐受记忆体及该低耐受记忆体为一记忆体之实体分割区。如请求项20之装置，其中该高耐受记忆体包含一可重写记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体。如请求项20之装置，其中该高耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一一次性可程式记忆体。一种用于将资讯自一高效能记忆体保存至一低效能记忆体之装置，该装置包含：一高效能记忆体；一低效能记忆体；及一控制器，其操作以：(a)确定该高效能记忆体中之可用储存容量是否处于一临限量值；(b)若该高效能记忆体中之该可用储存容量处于该临限量值：(b1)撷取储存于该高效能记忆体中之资讯；及(b2)将该资讯写入至该低效能记忆体中，其中该高效能记忆体与该低效能记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，及该高效能记忆体与该低效能记忆体系为非挥发半导体记忆体。如请求项28之装置，其中该控制器进一步操作以使该高效能记忆体中储存该资讯之位置可用。如请求项28之装置，其中该控制器进一步操作以选择该资讯，以自该高效能记忆体中撷取。如请求项30之装置，其中该控制器进一步操作以基于一选择条件选择该资讯，以自该高效能记忆体中撷取。如请求项31之装置，其中该选择条件包含改变。如请求项31之装置，其中该选择条件包含被删除。如请求项31之装置，其中该选择条件包含该资讯之存取历史。如请求项34之装置，其中该存取历史包含写入存取历史。如请求项34之装置，其中该存取历史包含读取存取历史。如请求项34之装置，其中该存取历史包含写入存取历史与读取存取历史之一组合。如请求项31之装置，其中该选择条件包含一最不频繁存取标准。如请求项31之装置，其中该选择条件包含一最近最少存取标准。如请求项31之装置，其中该选择条件包含一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项28之装置，其中该控制器进一步操作以重复(a)及(b)。如请求项28之装置，其中该控制器进一步操作以在(a)之前确定应将该资讯储存于该高效能记忆体中而不储存于该低效能记忆体中。如请求项28之装置，其中该装置经组态以用于可移除地连接至一主机装置。如请求项28之装置，其中该高效能记忆体及该低效能记忆体为一记忆体之实体分割区。一种用于将资讯自一高效能记忆体保存至一低效能记忆体之装置，该装置包含：一高效能记忆体；一低效能记忆体；及一控制器，其操作以：(a)确定该高效能记忆体是否太满；(b)若该高效能记忆体太满：(b1)选择资讯，以自该高效能记忆体中撷取；(b2)自该高效能记忆体中撷取该资讯；(b3)将该资讯写入至该低效能记忆体中；及(b4)使该高效能记忆体中储存该资讯之位置可用，其中该高效能记忆体与该低效能记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，及该高效能记忆体与该低效能记忆体系为非挥发半导体记忆体。如请求项45之装置，其中该资讯系基于以下项中之一或多者来选择：改变、被删除、存取历史、写入存取历史、读取存取历史、写入存取历史与读取存取历史之一组合、一最不频繁存取标准、一最近最少存取标准，及一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项45之装置，其中该控制器进一步操作以重复(a)及(b)。如请求项45之装置，其中该控制器进一步操作以在(a)之前确定应将该资讯储存于该高效能记忆体中而不储存于该低效能记忆体中。如请求项45之装置，其中该装置经组态以用于可移除地连接至一主机装置。如请求项45之装置，其中该高效能记忆体及该低效能记忆体为一记忆体之实体分割区。一种用于将资讯自一高耐受记忆体保存至一低耐受记忆体之方法，该方法包含：(a)确定一高耐受记忆体中之可用储存容量是否处于一临限量值；(b)若该高耐受记忆体中之该可用储存容量处于该临限量值：(b1)撷取储存于该高耐受记忆体中之资讯；及(b2)将该资讯写入至一低耐受记忆体中，其中该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系为非挥发半导体记忆体；及耐受系指该非挥发半导体记忆体可确实程式化之次数。如请求项51之方法，进一步包含：使该高耐受记忆体中储存该资讯之位置可用。如请求项51之方法，进一步包含：选择该资讯以自该高耐受记忆体中撷取。如请求项53之方法，其中基于一选择条件选择该资讯。如请求项54之方法，其中该选择条件包含改变。如请求项54之方法，其中该选择条件包含被删除。如请求项54之方法，其中该选择条件包含该资讯之存取历史。如请求项57之方法，其中该存取历史包含写入存取历史。如请求项57之方法，其中该存取历史包含读取存取历史。如请求项57之方法，其中该存取历史包含写入存取历史与读取存取历史之一组合。如请求项54之方法，其中该选择条件包含一最不频繁存取标准。如请求项54之方法，其中该选择条件包含一最近最少存取标准。如请求项54之方法，其中该选择条件包含一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项51之方法，进一步包含重复(a)及(b)。如请求项51之方法，进一步包含在(a)之前确定应将该资讯储存于该高耐受记忆体中而不储存于该低耐受记忆体中。如请求项51之方法，其中将该高耐受记忆体与该低耐受记忆体一起提供作为一经组态以用于可移除地连接至一主机装置之单元。如请求项51之方法，其中该高耐受记忆体及该低耐受记忆体为一记忆体之实体分割区。如请求项51之方法，其中该高耐受记忆体包含一可重写记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体。如请求项51之方法，其中该高耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一一次性可程式记忆体。一种用于将资讯自一高耐受记忆体保存至一低耐受记忆体之方法，该方法包含：(a)确定一高耐受记忆体是否太满；(b)若该高耐受记忆体太满：(b1)选择资讯，以自该高耐受记忆体中撷取；(b2)自该高耐受记忆体中撷取该资讯；(b3)将该资讯写入至一低耐受记忆体中；及(b4)使该高耐受记忆体中储存该资讯之位置可用，其中该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，该高耐受记忆体与该低耐受记忆体系为非挥发半导体记忆体；及耐受系指该非挥发半导体记忆体可确实程式化之次数。如请求项70之方法，其中基于以下项中之一或多者来选择该资讯：改变、被删除、存取历史、写入存取历史、读取存取历史、写入存取历史与读取存取历史之一组合、一最不频繁存取标准、一最近最少存取标准，及一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项70之方法，进一步包含重复(a)及(b)。如请求项70之方法，进一步包含在(a)之前确定应将该资讯储存于该高耐受记忆体中而不储存于该低耐受记忆体中。如请求项70之方法，其中将该高耐受记忆体与该低耐受记忆体一起提供作为一经组态以用于可移除地连接至一主机装置之单元。如请求项70之方法，其中该高耐受记忆体及该低耐受记忆体为一记忆体之实体分割区。如请求项70之方法，其中该高耐受记忆体包含一可重写记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体。如请求项70之方法，其中该高耐受记忆体包含一少数次数可程式记忆体，且其中该低耐受记忆体包含一一次性可程式记忆体。一种用于将资讯自一高效能记忆体保存至一低效能记忆体之方法，该方法包含：(a)确定一高效能记忆体中之可用储存容量是否处于一临限量值；(b)若该高效能记忆体中之该可用储存容量处于该临限量值：(b1)撷取储存于该高效能记忆体中之资讯；及(b2)将该资讯写入至一低效能记忆体中，其中该高效能记忆体与该低效能记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元，该高效能记忆体与该低效能记忆体系为非挥发半导体记忆体。如请求项78之方法，进一步包含：使该高效能记忆体中储存该资讯之位置可用。如请求项78之方法，进一步包含：选择该资讯，以自该高效能记忆体中撷取。如请求项80之方法，其中基于一选择条件选择该资讯。如请求项81之方法，其中该选择条件包含改变。如请求项81之方法，其中该选择条件包含被删除。如请求项81之方法，其中该选择条件包含该资讯之存取历史。如请求项84之方法，其中该存取历史包含写入存取历史。如请求项84之方法，其中该存取历史包含读取存取历史。如请求项84之方法，其中该存取历史包含写入存取历史与读取存取历史之一组合。如请求项81之方法，其中该选择条件包含一最不频繁存取标准。如请求项81之方法，其中该选择条件包含一最近最少存取标准。如请求项81之方法，其中该选择条件包含一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项78之方法，进一步包含重复(a)及(b)。如请求项78之方法，进一步包含在(a)之前确定应将该资讯储存于该高效能记忆体中而不储存于该低效能记忆体中。如请求项78之方法，其中将该高效能记忆体与该低效能记忆体一起提供作为一经组态以用于可移除地连接至一主机装置之单元。如请求项78之方法，其中该高效能记忆体及该低效能记忆体为一记忆体之实体分割区。一种用于将资讯自一高效能记忆体保存至一低效能记忆体之方法，该方法包含：(a)确定一高效能记忆体是否太满；(b)若该高效能记忆体太满：(b1)选择资讯以自该高效能记忆体中撷取；(b2)自该高效能记忆体中撷取该资讯；(b3)将该资讯写入至一低效能记忆体中；及(b4)使该高效能记忆体中储存该资讯之位置可用，其中该高效能记忆体与该低效能记忆体系一并提供，并经组态为可与一主机可移除连接的一单元；及该高效能记忆体与该低效能记忆体系为非挥发半导体记忆体。如请求项95之方法，其中基于以下项中之一或多者来选择该资讯：改变、被删除、存取历史、写入存取历史、读取存取历史、写入存取历史与读取存取历史之一组合、一最不频繁存取标准、一最近最少存取标准，及一最频繁存取标准与一最近最少存取标准之一组合。如请求项95之方法，进一步包含重复(a)及(b)。如请求项95之方法，进一步包含在(a)之前确定应将该资讯储存于该高效能记忆体中而不储存于该低效能记忆体中。如请求项95之方法，其中将该高效能记忆体与该低效能记忆体一起提供作为一经组态以用于可移除地连接至一主机装置之单元。如请求项95之方法，其中该高效能记忆体及该低效能记忆体为一记忆体之实体分割区。