| 主权项 |
一种半导体结构的形成方法，包含：提供一基板；形成一第一硬罩层于该基板上；形成一开口于该第一硬罩层内，该开口具有一第一深度且暴露一侧壁及一底表面；形成一共形阻障层覆盖该侧壁及该底表面；去除覆盖该底表面的该共形阻障层而保留覆盖该侧壁的该共形阻障层；及蚀刻该底表面以使该开口形成大于该第一深度的一第二深度。如请求项1所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该第一硬罩层系包含使用矽玻璃作为该第一硬罩层。如请求项1所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该第一硬罩层之前，更包含形成一第二硬罩层于该基板上。如请求项3所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该第二硬罩层系包含使用氮化物作为该第二硬罩层。如请求项1所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该开口于该第一硬罩层内系包含：形成一图案化第三硬罩层；及以该图案化第三硬罩层为遮罩，蚀刻该第一硬罩层至该第一深度。如请求项1所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该共形阻障层系包含使用氮化物作为该共形阻障层。如请求项1所述之一半导体结构的形成方法，其中该共形阻障层所形成的厚度在5埃到20埃之间。如请求项3所述之一半导体结构的形成方法，其中蚀刻该底表面之后，更包含蚀刻该第二硬罩层。一种半导体结构的形成方法，包含：提供一基板；形成一第一硬罩层于该基板上；形成一第二硬罩层于该第一硬罩层上。形成一开口于该第二硬罩层内，该开口暴露一侧壁及一底表面；形成一共形阻障层覆盖该侧壁及该底表面；去除覆盖该底表面的该共形阻障层而保留覆盖该侧壁的该共形阻障层；及蚀刻该底表面及该第一硬罩层以露出该基板。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该第一硬罩层系包含使用氮化物作为该第一硬罩层；且形成该第二硬罩层系包含使用矽玻璃作为该第二硬罩层。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中形成该共形阻障层系包含使用氮化物作为该共形阻障层。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中该共形阻障层所形成的厚度在5埃到20埃之间。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中去除该底表面上方的共形阻障层及蚀刻该底表面及该第二硬罩层系在同一个反应室中进行。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中蚀刻该底表面系使用选自以下项目所组成之群组的蚀刻气体：C4F6、C3H8、Ar及O2。如请求项9所述之一半导体结构的形成方法，其中蚀刻该第一硬罩层系使用选自以下项目所组成之群组的蚀刻气体：CH2F2、CF4、Ar及O2。 |
