薄膜电晶体、主动阵列基板及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种薄膜电晶体、具有该薄膜电晶体之主动阵列基板及其制造方法。该薄膜电晶体包括：一基底，具有一凹槽；一闸极，位于该凹槽内；一闸绝缘层，位于该闸极上，其中至少部份该闸绝缘层系位于该凹槽内；一通道层，位于该闸绝缘层上；以及一源极以及一汲极，位于该通道层上并分别对应该闸极之两侧。

主权项

一种主动阵列基板，包括：一基底，具有至少一凹槽；至少一扫瞄线，位于该凹槽内；至少一资料线，与该扫瞄线垂直；至少一薄膜电晶体，与对应之该扫描线以及该资料线电性连接，该薄膜电晶体包括一闸绝缘层，其中至少部份该闸绝缘层系位于该凹槽内，其中该凹槽深度约2000至7000；以及至少一画素电极，与该薄膜电晶体连接。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该薄膜电晶体更包括一闸极，位于该凹槽内。如专利申请范围第2项所述之主动阵列基板，其中该闸极之上表面大体呈弧状。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该闸极之上表面大体呈弧状。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该扫瞄线之材质系包括铜、银、铝或上述组合。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该扫瞄线系包括一第一层位于该基底上以及一第二层位于该第一层上。如专利申请范围第6项所述之主动阵列基板，其中该第二层之材质系包括铜、银、铝或上述组合。如专利申请范围第6项所述之主动阵列基板，其中该第一层之材质系包括钼、钛、铬。如专利申请范围第6项所述之主动阵列基板，其中该扫瞄线更包括一第三层位于该第二层上。如专利申请范围第9项所述之主动阵列基板，其中该第三层之材质系包括钼、钛、铬。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该薄膜电晶体包括一源极以及一汲极，该源极以及该汲极之材质系包括铜、钼、钛、铬、银、铝或上述组合。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，其中该基底更具有一另一凹槽，该主动阵列基板更包括一共通线位于该另一凹槽内。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，更包括一连接垫电极与该扫瞄线电性连接，位于该凹槽内。如专利申请范围第13项所述之主动阵列基板，更包括一连接电极位于该连接垫电极上。如专利申请范围第14项所述之主动阵列基板，更包括一保护电极位于该连接电极上。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，更包括一保护层，位于该资料线上，该保护层具有一开口以暴露出该资料线；以及一导体层位于该保护层上并藉由该开口与该资料线电性连接。如专利申请范围第16项所述之主动阵列基板，其中该导体层之材质系包括铜、银、铝。如专利申请范围第1项所述之主动阵列基板，更包括一导体层电性连接于该画素电极以及该薄膜电晶体之间。一种制造薄膜电晶体之方法，包括：提供一基底，该基底具有一凹槽；形成一闸极于该凹槽内；形成一闸绝缘层于该闸极上，其中至少部份该闸绝缘层系位于该凹槽内；形成一通道层于该闸绝缘层上；以及形成一源极以及一汲极，位于该通道层上并分别对应该闸极之两侧。如专利申请范围第19项所述之方法，更包括形成一掺杂半导体层，位于该源极以及该通道层之间，以及该汲极以及该通道层之间。如专利申请范围第19项所述之方法，其中于形成该闸极之步骤前，更包括：形成一图案化光阻层于该基底上，该图案化光阻层具有一开口；以该图案化光阻层为遮罩，蚀刻该基底以形成该凹槽；全面形成一导体材料层于该图案化光阻层以及该基底上；去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层；以及去除该图案化光阻层。如专利申请范围第21项所述之方法，其中蚀刻该基底以形成该凹槽之步骤系利用乾蚀刻或湿蚀刻。如专利申请范围第22项所述之方法，其中该乾蚀刻系包括大气电浆蚀刻(atmospheric plasma etching)。如专利申请范围第21项所述之方法，其中去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层之步骤系利用气体-固态轰击制程(gas-solid shooting)。如专利申请范围第19项所述之方法，其中该闸极之上表面大体呈弧状。如专利申请范围第19项所述之方法，其中该凹槽之深度约2000至7000。如专利申请范围第19项所述之方法，其中该闸极之材质系包括铜、银、铝或上述组合。如专利申请范围第19项所述之方法，该图案化光阻层对应该凹槽处之下表面为底切状(under-cut)。一种制造主动阵列基板的方法，包括：提供一基底，该基底具有一凹槽；形成至少一扫瞄线于该凹槽内；形成至少一资料线，与该扫瞄线垂直；形成至少一薄膜电晶体，与对应之该扫描线以及该资料线电性连接，该薄膜电晶体包括一闸绝缘层，其中至少部份该闸绝缘层系位于该凹槽内；以及形成至少一画素电极，与该薄膜电晶体连接。如专利申请范围第29项所述之方法，其中该基底更具有一另一凹槽，该方法更包括形成一共通线位于该另一凹槽内。如专利申请范围第29项所述之方法，更包括形成一连接垫电极于该凹槽内，该连接垫电极系与对应之该扫瞄线电性连接。如专利申请范围第31项所述之方法，更包括形成一连接电极于该连接垫电极上。如专利申请范围第32项所述之方法，更包括形成一保护电极于该连接垫电极上，其中该保护电极与该画素电极系为同时形成。如专利申请范围第29项所述之方法，其中于形成该至少一扫瞄线之步骤前，更包括：形成一图案化光阻层于该基底上；以该图案化光阻层为遮罩，蚀刻该基底以形成该凹槽；全面形成一导体材料层于该图案化光阻层以及该基底上；去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层；以及去除该图案化光阻层。如专利申请范围第34项所述之方法，该图案化光阻层对应该凹槽处之下表面为底切状(under-cut)。如专利申请范围第34项所述之方法，其中蚀刻该基底以形成该凹槽之步骤系利用乾蚀刻或湿蚀刻。如专利申请范围第36项所述之方法，其中该乾蚀刻系包括大气电浆蚀刻(atmospheric plasma etching)。如专利申请范围第34项所述之方法，其中去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层之步骤系利用气体固态轰击制程(gas-solid shooting)。如专利申请范围第29项所述之方法，更包括：形成一保护层于该资料线上；于该保护层上形成一图案化光阻层；以该图案化光阻层为遮罩，蚀刻该保护层以形成一开口暴露出该资料线；形成一导体材料层于该图案化光阻层上并藉由该开口与该资料线电性连接；去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层以形成一导体层于该资料线上；以及去除该图案化光阻层。如专利申请范围第39项所述之方法，其中蚀刻该保护层以形成该开口之步骤系利用大气电浆蚀刻(atmospheric plasma etching)。如专利申请范围第39项所述之方法，其中去除位于该图案化光阻层上之该导体材料层之步骤系利用气体固态轰击制程(gas-solid shooting)。如专利申请范围第29项所述之方法，于形成该画素电极之步骤前，更包括：形成一保护层于该薄膜电晶体上；形成一图案化光阻层于该保护层上；利用该图案化光阻层为遮罩，蚀刻该保护层以形成一接触洞以暴露出该薄膜电晶体之一汲极；以及去除该图案化光阻层。如专利申请范围第42项所述之方法，其中该画素电极系藉由该接触洞与该汲极电性连接，且其中蚀刻该保护层以形成该接触洞系利用大气电浆蚀刻(atmospheric plasma etching)。