发明名称 半导体陶瓷材料及NTC热阻器
摘要 本发明之目的在于提供一种半导体陶瓷材料及NTC热阻器,其无需依赖2种以上材料组合,只须采用1种半导体陶瓷材料,即可提供电阻温度特性之直线性优良之NTC热阻器。作为构成NTC热阻器(1)所具备之陶瓷素体(20)之具有负的电阻温度特性之半导体陶瓷材料,系使用由(La1-αBaα)xMnyOz(其中,z系满足由x及y之值所决定之作为陶瓷之电中性条件之数值)表示之氧化物所构成者。前述式中,x=1且y=0.8~1.5时,为0.60≦α≦0.75,x=1且y=1.7~2.3时,为0.50≦α≦0.63。
申请公布号 TWI379819 申请公布日期 2012.12.21
申请号 TW097130738 申请日期 2008.08.12
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 三浦忠将
分类号 C04B35/50 主分类号 C04B35/50
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体陶瓷材料,其系由A中含有稀土类元素与钡元素,B中含有锰元素的以AxByOz(其中,z系满足A及B中所含元素之价数及由x及y之值所决定之作为陶瓷之电中性条件之数值)表示之氧化物所构成,且具有负的电阻温度特性者,且x=1且y=0.8~1.5时,A中钡元素之含有比例为60~75莫耳%;x=1且y=1.7~2.3时,A中钡元素之含有比例为50~63莫耳%。如请求项1之半导体陶瓷材料,其中x=1且y=0.8~1.5时,A中钡元素之含有比例为69~72莫耳%;x=1且y=2.0~2.1时,A中钡元素之含有比例为54~63莫耳%。如请求项1之半导体陶瓷材料,其中前述以AxByOz表示之氧化物,系以(La1-αBaα)xMnyOz(其中,z系满足由x及y之值所决定之作为陶瓷之电中性条件之数值)表示,且x=1且y=0.8~1.5时,为0.60≦α≦0.75;x=1且y=1.7~2.3时,为0.50≦α≦0.63。一种NTC热阻器,其系具备陶瓷素体、及以将前述陶瓷素体之至少一部分夹持地彼此相对之方式形成之电极者;前述陶瓷素体系由请求项1至3中任一项之半导体陶瓷材料所构成。
地址 日本