| 主权项 |
一种薄膜电晶体结构，包含：一第一通道层；一第一闸极介电层，形成于该第一通道层上方；一闸极层，形成于至少部份该第一闸极介电层上方；一第二闸极介电层，形成于该闸极层上方；一第二通道层，形成于该第二闸极介电层上方；以及一源/汲极区域，邻接于该第一通道层、该第一闸极介电层、该第二闸极介电层以及该第二通道层，并掺杂有一离子；一间隔物，形成于该第一闸极介电层之一端部上方，具有一第一连接面以及一第二连接面，其中，该第一连接面系连续地邻接于该闸极层之一端部、该第二闸极介电层之一端部及部分该第二通道层，该第二连接面系邻接于部分该源/汲极区域，该间隔物适以使该源/汲极区域及该闸极层之间，透过该第一通道层，保持一第一距离，并使该源/汲极区域及该闸极层之间，透过该第二通道层，保持一第二距离；其中该闸极层适可接收一闸极电压，以于该闸极电压大于一第一参考值时，于该第一通道层以及该第二通道层与该闸极层重叠部分，导通该第一通道层以及该第二通道层。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该间隔物具有一介电常数，其系不小于3.9。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一距离系不大于0.5微米(μm)。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二距离系不大于0.1微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该间隔物适可接受一电压，以于该第一通道层之该第一距离内，透过该第一闸极介电层，形成一第一电场，并于该第二通道层之该第二距离内，透过该第二闸极介电层，形成一第二电场。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一通道层具有一第一厚度，该第二通道层具有一第二厚度，该源/汲极区域具有一第三厚度，该第一厚度及该第二厚度皆小于该第三厚度。如请求项6所述之薄膜电晶体结构，其中该第一厚度系不大于0.2微米，该第二厚度系不大于0.2微米。如请求项6所述之薄膜电晶体结构，其中该第一厚度不大于2倍之该第二厚度。如请求项6所述之薄膜电晶体结构，其中该第三厚度系恰为该第一厚度及该第二厚度之总和。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该间隔物之材料系选自下列族群：一氮化矽(SiNx)、一氧化铪(HfOx)。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该间隔物具有一厚度，其系不大于0.5微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该源/汲极区域系由一非晶矽薄膜所制成。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该离子系一磷离子。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一通道层之材料系选自下列族群：一单晶矽、一多晶矽、一非晶矽及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一通道层具有一厚度，其系不大于0.2微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该闸极层之材料系选自下列族群：一单晶矽、一多晶矽、一非晶矽、一金属铝(Al)及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该闸极层具有一厚度，其系不大于0.3微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二通道层之材料系选自下列族群：一单晶矽、一多晶矽、一非晶矽及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二通道层具有一厚度，其系不大于0.2微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一通道层之材料系选自下列族群：一碳化矽(SiC)、一锗化矽(SiGe)、一砷化镓(GaAs)及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该闸极层之材料系选自下列族群：一碳化矽(SiC)、一锗化矽(SiGe)、一砷化镓(GaAs)及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二通道层之材料系选自下列族群：一碳化矽(SiC)、一锗化矽(SiGe)、一砷化镓(GaAs)及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一闸极介电层之材料系选自下列族群：一氮矽化合物、一二氧化矽化合物、一二氧氮矽化合物及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第一闸极介电层具有一厚度，其系不大于0.2微米。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二闸极介电层之材料系选自下列族群：一氮矽化合物、一二氧化矽化合物、一二氧氮矽化合物及其组合。如请求项1所述之薄膜电晶体结构，其中该第二闸极介电层具有一厚度，其系不大于0.2微米。 |
