光源、发光装置及显示装置

摘要

本发明乃一种光源、发光装置及显示装置者，可提供抑制电性并列连接复数之发光元件时之产生于复数之发光元件间之光量之不均的光源等。;做为解决手段，适用本实施之形态之光源乃电性并列连接复数之LED晶片(10)者。构成复数之LED晶片(10)之各LED晶片(10)乃具备基板(11)、种子层(12)、n型半导体层(14)、发光层(15)及p型半导体层(16)。更且，n型半导体层(14)乃包含直接层积于种子层(12)上之基底层(14a)，然后，种子层(12)乃III族氟化物化合物半导体，该膜厚乃设定室21nm以上40nm以下，经由溅镀法加以成膜。更且，基底层(14a)乃(0002)面之摇摆曲线半值宽为100arcsec以下，(10-10)面之摇摆曲线半值宽为250arcsec以下之III族氛化物化合物半导体。

主权项

一种光源，其特征乃具备：复数之发光元件、电性并列连接前述复数之发光元件之并列连接手段；构成前述复数之发光元件之各发光元件乃包含：元件基板、和直接层积于III族氮化物化合物半导体所成前述元件基板之上的种子层、和直接层积于前述种子层上，(0002)面之摇摆曲线半值宽为100arcsec以下，(10-10)面之摇摆曲线半值宽为250arcsec以下之III族氮化物化合物半导体所成基底层者。如申请专利范围第1项之光源，其中，前述基底层乃(0002)面之摇摆曲线半值宽为60arcsec以下，(10-10)面之摇摆曲线半值宽为250arcsec以下之III族氮化物化合物半导体。如申请专利范围第1项之光源，其中，前述并列连接手段乃安装前述复数之发光元件的同时，形成供电于该复数之发光元件之供电路径的安装体。如申请专利范围第1项之光源，其中，前述种子层乃具有21nm以上40nm以下之层厚。如申请专利范围第4项之光源，其中，前述种子层乃经由溅镀法而成膜者。如申请专利范围第1项之光源，其中，前述元件基板为蓝宝石基板，前述种子层乃AlN，前述基底层乃GaN者。如申请专利范围第1项之光源，其中，更具备：与前述复数之发光元件不同之其他之复数之发光元件，电性并列连接前述其他之复数之发光元件之其他之并列连接手段；电性连接前述并列连接手段与前述其他之并列连接手段的连接手段。一种发光装置，其特征乃备有：具备复数之发光元件、和电性并列连接该复数之发光元件的第1之供电路径的发光体，和设置安装复数个前述发光体，与设于各该发光体之前述第1之供电路径电性连接的第2之供电路径的安装基板；构成前述复数之发光元件之各发光元件乃包含：元件基板、和直接层积于III族氮化物化合物半导体所成前述元件基板之上的种子层、和直接层积于前述种子层上，(0002)面之摇摆曲线半值宽为100arcsec以下，(10-10)面之摇摆曲线半值宽为250arcsec以下之III族氮化物化合物半导体所成基底层者。如申请专利范围第8项之发光装置，其中，前述复数之发光体乃在前述安装基板，以等间隔加以配置者。一种显示装置，包含显示画像之显示面板、和设于该显示面板之背面，向该显示面板照射光线之背光的显示装置，其特征乃前述背光乃具备：备有复数之发光元件、和电性并列连接该复数之发光元件的第1之供电路径的发光体，和设置安装复数个前述发光体，与设于各该发光体之前述第1之供电路径电性连接的第2之供电路径的安装基板；构成前述复数之发光元件之各发光元件乃包含：元件基板、和直接层积于III族氮化物化合物半导体所成前述元件基板之上的种子层、和直接层积于前述种子层上，(0002)面之摇摆曲线半值宽为100arcsec以下，(10-10)面之摇摆曲线半值宽为250arcsec以下之III族氮化物化合物半导体所成基底层者。如申请专利范围第10项之显示装置，其中，更包含：各别电性连接构成前述复数之发光体之2个以上之发光体，形成复数之发光体群的复数之连接导体、和对于构成前述复数之连接导体之各个连接导体而言，进行供电之复数电源。