画素结构及其薄膜电晶体

摘要

薄膜电晶体的闸极连接扫描线且位于绝缘层之一表面。半导体层、源极和汲极位于绝缘层另一表面。源极连接资料线且连接半导体层。汲极的第一侧支连接半导体层且部分对齐重叠闸极而诱发寄生电容。汲极的第二侧支与第一侧支延伸于同方向且垂直越过扫描线上方。部分第二侧支对齐重叠扫描线而诱发第一补偿电容。补偿电极连接第二侧支且部分垂直位于扫描线上方而诱发第二补偿电容。补偿电极之线宽为第一侧支和第二侧支线宽的和，使得寄生电容、第一补偿电容和第二补偿电容的和维持恒定。

主权项

一种薄膜电晶体，至少包含：一闸极，电性连接一扫描线；一绝缘层，邻接于该闸极，且该闸极位于该绝缘层之一表面；一半导体层，位于该绝缘层之另一表面；一源极，位于该绝缘层之另一表面，且连接部分该半导体层，该源极电性连接一资料线；以及一汲极，位于该绝缘层之另一表面，包含：一第一侧支，连接部分该半导体层，部分该第一侧支对齐重叠该闸极而诱发一寄生电容；一第二侧支，与该第一侧支延伸于同一方向，且垂直越过该扫描线上方，其中部分该第二侧支对齐重叠该扫描线而诱发一第一补偿电容；以及一补偿电极，连接该第二侧支，部分该补偿电极垂直位于该扫描线上方而诱发一第二补偿电容，该补偿电极之线宽为该第一侧支之线宽和该第二侧支之线宽的和。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该补偿电极系设置于该第二侧支之一端。如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体，其中该第一侧支之线宽等于该第二侧支之线宽。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该闸极具有互相相对的一第一边和一第二边，且该第一侧支垂直越过该闸极之该第一边。如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体，其中该扫描线具有互相相对的一第三边和一第四边，该第二侧支垂直越过该扫描线之该第三边，该补偿电极垂直越过该扫描线之该第四边。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体，其中该闸极之该第二边连接该扫描线之该第三边，该第二边与该第一边为该闸极之一对相对的侧边。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该汲极更包含一第三侧支连接该第一侧支之一端和一储存电容，且不垂直越过该闸极。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该第三侧支与该闸极均为于该扫描线之同一侧。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体，其中该第二侧支之一端连接该第三侧支。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该第二侧支之一端连接一储存电容。一种画素结构，至少包含：一扫描线；一资料线，与该扫描线交错；一闸极，电性连接该扫描线；一绝缘层，邻接于该闸极，且该闸极位于该绝缘层之一表面；一半导体层，位于该绝缘层之另一表面；一源极，位于该绝缘层之另一表面，且连接部分该半导体层，该源极电性连接该资料线；以及一汲极，位于该绝缘层之另一表面，该汲极包含：一第一侧支，连接部分该半导体层，部分该第一侧支对齐重叠该闸极而诱发一寄生电容；一第二侧支，与该第一侧支延伸于同一方向，且垂直越过该扫描线上方，其中部分该第二侧支对齐重叠该扫描线而诱发一第一补偿电容；以及一补偿电极，连接该第二侧支，部分该补偿电极垂直位于该扫描线上方而诱发一第二补偿电容，该补偿电极之线宽为该第一侧支之线宽和该第二侧支之线宽的和；以及一画素电极，电性连接该汲极。