薄膜电晶体

摘要

本发明提供一种薄膜电晶体，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一绝缘层，覆盖该闸极；一半导体层，形成于该绝缘层上，其中该半导体层具有复数个沟槽结构；以及一源/汲极，设置于该半导体层上。

主权项

一种薄膜电晶体，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一绝缘层，覆盖该闸极；一半导体层，形成于该绝缘层上，其中该半导体层具有复数个沟槽结构；以及一源/汲极，设置于该半导体层上。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该基板系由金属、玻璃、半导体或塑胶所构成。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由多晶矽或微晶矽所构成。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由非晶矽或氧化物半导体所构成。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由五苯(pentacene)、聚己基噻吩(P3HT)或三乙基矽烷乙炔基双噻吩蒽(triethylsilylethynyl anthradithiophene)所构成。一种薄膜电晶体，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一绝缘层，覆盖该闸极；一源/汲极，设置于该绝缘层上；以及一半导体层，形成于该源极、该汲极与该绝缘层上，其中该半导体层具有复数个沟槽结构。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该基板系由金属、玻璃、半导体或塑胶所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由多晶矽或微晶矽所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由非晶矽或氧化物半导体所构成。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由五苯(pentacene)、聚己基噻吩(P3HT)或三乙基矽烷乙炔基双噻吩蒽(triethylsilylethynyl anthradithiophene)所构成。一种薄膜电晶体，包括：一基板；一第一绝缘层，形成于该基板上，其中该第一绝缘层具有复数个沟槽结构；一源/汲极，设置于该第一绝缘层上；一半导体层，形成于该源极、该汲极与该第一绝缘层上并填入该第一绝缘层之该等沟槽结构；一第二绝缘层，形成于该半导体层上；以及一闸极，设置于该第二绝缘层上。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该基板系由金属、玻璃、半导体或塑胶所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该第一绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该第一绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由多晶矽或微晶矽所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由非晶矽或氧化物半导体所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由五苯(pentacene)、聚己基噻吩(P3HT)或三乙基矽烷乙炔基双噻吩蒽(triethylsilylethynyl anthradithiophene)所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该第二绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第15项所述之薄膜电晶体，其中该第二绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。一种薄膜电晶体，包括：一基板；一第一绝缘层，形成于该基板上，其中该第一绝缘层具有复数个沟槽结构；一半导体层，形成于该第一绝缘层上并填入该第一绝缘层之该等沟槽结构；一源/汲极，设置于该半导体层上；一第二绝缘层，形成于该源极、该汲极与该半导体层上；以及一闸极，设置于该第二绝缘层上。如申请专利范围第24所述之薄膜电晶体，其中该基板系由金属、玻璃、半导体或塑胶所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该第一绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该第一绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由多晶矽或微晶矽所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由非晶矽或氧化物半导体所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该半导体层系由五苯(pentacene)、聚己基噻吩(P3HT)或三乙基矽烷乙炔基双噻吩蒽(triethylsilylethynyl anthradithiophene)所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该第二绝缘层系由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽所构成。如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体，其中该第二绝缘层系由聚亚醯胺(polyimide)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)或聚对二甲苯(parylene)所构成。