于半导体记忆体中可程式化晶片位址及晶片启用之系统及方法

摘要

记忆体晶粒具备用以允许特定记忆体晶粒在封装之后被停用之可程式化晶片启用电路及/或用以允许特定记忆体晶粒在封装之后被重新定址之可程式化晶片位址电路。在一多晶片记忆体封装中，可由一可程式化电路停用一未通过封装级测试之记忆体晶粒并将该记忆体晶粒与该记忆体封装隔离，该可程式化电路更动自控制器或主机装置接收之主晶片启用信号。为提供一连续位址范围，可使用替换由衬垫接合提供之唯一晶片位址的另一可程式化电路来重新定址无缺陷记忆体晶粒中之一或多者。亦可无关于侦测到一失效记忆体晶粒而在封装之后重新定址记忆体晶片。

主权项

一种非挥发性记忆体系统，其包含：复数个非挥发性记忆体晶片，其各自包括复数个非挥发性储存元件及一或多个晶片启用接针，每一记忆体晶片之该一或多个晶片启用接针耦接至一共同线；一控制器，其与该共同线通信；每一记忆体晶片上之一选择电路，其回应于一由该控制器在该共同线上提供之晶片启用信号，每一选择电路回应于该晶片启用信号而启用一相应记忆体晶片；及每一晶片上之一或多个可程式化电路之一集合，可程式化电路之该集合与一相应记忆体晶片之一晶片启用接针及一选择电路通信，可程式化电路之该集合系可在封装该非挥发性记忆体系统之后组态以隔离一相应记忆体晶片使之不回应于该晶片启用信号而被启用。如请求项1之非挥发性记忆体系统，其中：可程式化电路之该集合藉由在该晶片启用信号到达该相应记忆体晶片之该选择电路之前更动该晶片启用信号而隔离该相应记忆体晶片。如请求项1之非挥发性记忆体系统，其中：可程式化电路之该集合藉由无关于该晶片启用信号而自该一或多个晶片启用接针将一大体上恒定偏压提供至该选择电路来隔离该相应记忆体晶片。如请求项1之非挥发性记忆体系统，其中：每一记忆体晶片包括耦接至用于该每一晶片之一或多个衬垫之一集合的一或多个装置选择接针，用于该每一晶片之衬垫之该集合具有一预定组态以定义该每一晶片之一唯一位址；每一晶片上之一或多个可程式化电路之该集合为一或多个可程式化电路之一第一集合；且每一晶片进一步包括与该每一晶片之该一或多个装置选择接针及该选择电路通信的一或多个可程式化电路之一第二集合，用于每一记忆体晶片之一或多个可程式化电路之该第二集合系可在封装该非挥发性记忆体系统之后组态以定义该每一记忆体晶片之一不同位址。如请求项4之非挥发性记忆体系统，其中：该复数个记忆体晶片包括一缺陷记忆体晶片及一第一无缺陷记忆体晶片；用于该缺陷晶片之一或多个可程式化电路之该第一集合经组态以隔离该缺陷记忆体晶片使之不回应于该晶片启用信号而被启用；且用于该第一无缺陷记忆体晶片之一或多个可程式化电路之该第二集合经组态以用一不同位址替换该第一无缺陷记忆体晶片之该唯一位址。如请求项5之非挥发性记忆体系统，其中：该第一无缺陷记忆体晶片之该不同位址为该缺陷记忆体晶片之该唯一位址。如请求项4之非挥发性记忆体系统，其中：用于一特定记忆体晶片之一或多个可程式化电路之该第二集合经组态以藉由储存一不同位址而定义该不同位址，该不同位址被提供至用于该特定记忆体晶片之该选择电路以代替由用于该特定记忆体晶片之衬垫之该集合的该预定组态定义之该唯一位址。如请求项7之非挥发性记忆体系统，其中：一或多个可程式化电路之该第一集合为一或多个熔丝。如请求项8之非挥发性记忆体系统，其中：该一或多个熔丝包括一反熔丝、一雷射熔丝及一电可熔熔丝中之至少一者。一种制造非挥发性储存器之方法，其包含：将复数个非挥发性记忆体晶片及一控制器封装于一记忆体封装中，该记忆体封装包括一耦接至该控制器及该等非挥发性记忆体晶片中之每一者的共同晶片启用线，该复数个非挥发性记忆体晶片系回应于一提供于该共同晶片启用线上之晶片启用信号而启用；在该封装之后判定该复数个非挥发性记忆体晶片中之该等非挥发性记忆体晶片是否具有缺陷；及若在该判定期间判定该复数个非挥发性记忆体晶片中之一特定记忆体晶片具有缺陷，则隔离该特定记忆体晶片使之不回应于该晶片启用信号而被启用。如请求项10之方法，其中：隔离该特定记忆体晶片包含更动该特定记忆体晶片之该晶片启用信号。如请求项10之方法，其中：每一记忆体晶片包括一晶片启用接针、一选择电路及耦接于该晶片启用接针与该选择电路之间的一或多个可程式化电路，该晶片启用信号系在该晶片启用接针上接收；隔离该特定记忆体晶片包括程式化该一或多个可程式化电路以无关于该晶片启用信号而自该晶片启用接针将一大体上恒定偏压提供至该选择电路。如请求项12之方法，其中：该一或多个可程式化电路为一或多个第一可程式化电路；每一记忆体晶片进一步包括一或多个装置选择接针之一集合及一或多个第二可程式化电路，该一或多个装置选择接针耦接至一或多个衬垫之一集合，该一或多个第二可程式化电路耦接于该一或多个装置选择接针与该选择电路之间；该方法进一步包含使用一或多个衬垫之该集合之一预定组态来定义该等记忆体晶片中之每一者之一唯一位址，用于每一记忆体晶片之该选择电路比较一自该控制器接收之位址与在一或多个装置选择接针之该集合上接收之该唯一位址以判定是否应选择该每一记忆体晶片。如请求项13之方法，其中：该方法进一步包含，若判定该特定记忆体晶片具有缺陷，则用一不同位址替换一第二记忆体晶片之该唯一位址，该替换包括组态用于该第二记忆体晶片之该一或多个第二可程式化电路以将该不同位址提供至该第二记忆体晶片之该选择电路来代替经由该一或多个装置选择接针而自衬垫之该集合接收之该唯一位址。如请求项14之方法，其中组态用于该第二记忆体晶片之该一或多个第二可程式化电路包含：程式化一或多个熔丝以定义该不同位址，该不同位址系自该一或多个熔丝提供至该选择电路并更动自衬垫之该集合接收之该唯一位址。如请求项12之方法，其中：该一或多个可程式化电路为一或多个熔丝。如请求项16之方法，其中该一或多个熔丝包括一反熔丝、一雷射熔丝及一电可熔熔丝中之至少一者。如请求项10之方法，其中：该等记忆体晶片中之每一者包括一非挥发性反及记忆体阵列。