横向扩散金氧半导体元件

摘要

一种横向扩散金氧半导体元件，其包括基底、具有第一导电型之深井区、具有第二导电型之井区、具有第一导电型之源极区、具有第一导电型之汲极区、通道区、具有第二导电型之多个掺杂层以及闸极。深井区与井区位于基底中。源极区位于井区中。汲极区位于深井区中。通道区位于源极区与汲极区之间的部分井区中。掺杂层位于通道区与汲极区之间的深井区中，使形成多个空乏区域，以提高深井区之空乏程度，且邻近汲极区之深井区相较于深井区的其他部份具有较高的空乏程度。闸极位于汲极区以及源极区之间的基底上并且覆盖通道区。

主权项

一种横向扩散金氧半导体元件，包括：一基底；具有一第一导电型之一深井区，位于该基底中；具有一第二导电型之一井区，位于该基底中；具有该第一导电型之一源极区，位于该井区中；具有该第一导电型之一汲极区，位于该深井区中；一通道区，位于该源极区与该汲极区之间的部分该井区中；具有该第二导电型之多个掺杂层，位于该通道区与该汲极区之间的该深井区中，使形成多个空乏区域，以提高该深井区之空乏程度，且邻近该汲极区之该深井区相较于该深井区的其他部份具有较高的空乏程度；以及一闸极，位于该汲极区以及该源极区之间的该基底上并且覆盖该通道区。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该深井区中的空乏区域的数目由邻近该汲极区之该深井区往邻近该通道区之该深井区递减。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中每一该些掺杂层与该基底之上表面之间的垂直距离不同。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该些掺杂层的掺质浓度相同。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中每一该掺杂层包括多个掺杂区块。如申请专利范围第5项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该些掺杂区块的掺质浓度相同。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该基底为具有该第二导电型之基底。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。如申请专利范围第1项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。一种横向扩散金氧半导体元件，包括：一基底；具有一第一导电型之一深井区，位于该基底中；具有一第二导电型之一井区，位于该基底中；具有该第一导电型之一源极区，位于该井区中；具有该第一导电型之一汲极区，位于该深井区中；一通道区，位于该源极区与该汲极区之间的部分该井区中；具有该第二导电型之至少一掺杂层，位于该通道区与该汲极区之间的该深井区中，使形成至少一空乏区域，以提高该深井区之空乏程度，且邻近该汲极区之该至少一掺杂层具有较高的掺质浓度，使邻近该汲极区之该深井区相较于该深井区的其他部份具有较高的空乏程度；以及一闸极，位于该汲极区以及该源极区之间的该基底上并且覆盖该通道区。如申请专利范围第10项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该至少一掺杂层的掺质浓度由邻近该汲极区之该深井区往邻近该通道区之该深井区递减。如申请专利范围第10项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该至少一掺杂层包括多个掺杂区块。如申请专利范围第12项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该些掺杂区块的掺质浓度随着其所在位置接近该通道区而下降。如申请专利范围第10项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该基底为具有该第二导电型之基底。如申请专利范围第10项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。如申请专利范围第10项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。一种横向扩散金氧半导体元件，包括：一基底；具有一第一导电型之一深井区，位于该基底中；具有一第二导电型之一井区，位于该基底中；具有该第一导电型之一源极区，位于该井区中；具有该第一导电型之一汲极区，位于该深井区中；一通道区，位于该源极区与该汲极区之间的部分该井区中；具有该第二导电型之多个掺杂层，位于该通道区与该汲极区之间的该深井区中，各该掺杂层包括多个彼此分离的掺杂区块，使形成多个空乏区域；以及一闸极，位于该汲极区以及该源极区之间的该基底上并且覆盖该通道区。如申请专利范围第17项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中每一该些掺杂层与该基底之上表面之间的垂直距离不同。如申请专利范围第17项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中同一掺杂层中的该些掺杂区块的掺质浓度相同。如申请专利范围第17项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该基底为具有该第二导电型之基底。如申请专利范围第17项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。如申请专利范围第17项所述之横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。