曝光方法

摘要

本发明提供一种曝光方法。首先，提供一晶圆，其上覆有一具有一感光临界能量值的光阻层，其中晶圆包含一中心区域与一围绕中心区域且不和中心区域重叠的周边区域，接着，以一具有一第一能量的补偿光线，对周边区域之光阻层进行一第一阶段照射，最后以一具有一第二能量的图案化光线，对晶圆上之光阻层进行一第二阶段照射，其中第一能量和第二能量的总合大于光阻层的感光临界能量值。

主权项

一种曝光方法，包含：提供一晶圆，其上覆有一具有一感光临界能量值(threshold energy)的光阻层，且该晶圆包含一中心区域以及一围绕该中心区域且不和该中心区域重叠的周边区域；以一具有一第一能量的补偿光线照射位于该周边区域内的该光阻层；提供一位于该中心区域以及该周边区域内的晶方区域；以及以一具有一第二能量的图案化光线，以一步进式照射，将该晶圆上的该晶方区域曝光，其中位于该晶方区域的该光阻层分别被该补偿光线与该图案化光线照射。如申请专利范围第1项所述之曝光方法，其中该周边区域为一环状区域。如申请专利范围第1或2项所述之曝光方法，其中该补偿光线照射的方式是以一环状方式依序进行该周边区域内该光阻层的照射。如申请专利范围第1项所述之曝光方法，其中该第一能量，系由该周边区域之较靠近该晶圆之一圆心处朝该晶圆之边缘递减。如申请专利范围第1项所述之曝光方法，其中该第一能量，系由该周边区域之较靠近该晶圆之一圆心处朝该晶圆之边缘递增。如申请专利范围第1项所述之曝光方法，其中该第一能量低于该光阻层的该感光临界能量值。如申请专利范围第1、4、5或6项所述之曝光方法，其中该第二能量高于该光阻层的该感光临界能量值。如申请专利范围第1、4、5或6项所述之曝光方法，其中该第二能量低于该光阻层的该感光临界能量值。如申请专利范围第1项所述之微影制程，其中该补偿光线系为一直接照射该周边区域内的该光阻层的光线。一种曝光方法，包含：提供一晶圆，其上覆有一具有一感光临界能量值的光阻层，且该晶圆包含一中心区域与一围绕该中心区域且不和该中心区域重叠的周边区域；以一具有一第一能量的补偿光线，对该周边区域之该光阻层进行一第一阶段照射；以及以一具有一第二能量的图案化光线，对该晶圆上之该光阻层进行一第二阶段照射，其中该第一能量和该第二能量的总合大于该光阻层的该感光临界能量值。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该第一阶段照射系指以环状依序照射。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该第二阶段照射系指一步进式照射。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该第一能量，系由该周边区域之靠近该晶圆之一圆心处朝该晶圆之边缘递减。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该第一能量，系由该周边区域之靠近该晶圆之一圆心处朝该晶圆之边缘处递增。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该周边区域为一环状区域。如申请专利范围第10、13或14项所述之微曝光方法，其中第一能量低于该光阻层的该感光临界能量值(threshold energy)。如申请专利范围第16项所述之曝光方法，其中该第二能量系高于该光阻层的该感光临界能量值(threshold energy)。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该第二能量系低于该光阻层的该感光临界能量值(threshold energy)。如申请专利范围第10项所述之曝光方法，其中该补偿光线系为一不经过任何光罩而直接照射在该周边区域内的该光阻层的光线。一种曝光方法，包含：提供一晶圆，其上覆有一光阻层，其中该晶圆包含一晶方区域，该晶方区域包含一第一面积和一第二面积，其中该第一面积和该第二面积不重叠；以一具有一第一能量的补偿光线，对该第一面积和该第二面积之该光阻层进行一第一阶段照射；以及以一具有一第二能量的图案化光线，同时对该第一面积和该第二面积之该光阻层进行一第二阶段照射。如申请专利范围第20项所述之曝光方法，其中该第一阶段照射可分为一第一次阶段照射和一第二次阶段照射，第一次阶段照射系以一具有一第一次能量的补偿光线，对该第一面积之该光阻层进行照射，第二次阶段照射系以一具有一第二次能量的补偿光线，对该第二面积之该光阻层进行一第二次阶段照射。如申请专利范围第21项所述之曝光方法，其中该第一次能量随着该第一面积在该晶圆上的位置不同而变动。如申请专利范围第21项所述之曝光方法，其中该第二次能量为固定值。