一种晶圆对准方法

摘要

本发明提供一种晶圆对准的方法。首先，提供一晶圆，包含一第一材料层和第二材料层，第二材料层位于第一材料层上，其中第一材料层包含一第一对准标记，然后，于一曝光机台中，量测第一对准标记之位置，之后，图案化第二材料层，并且藉由图案化的第二材料层形成一第二对准标记，最后，于曝光机台中，量测第二对准标记和第一对准标记之间的偏移量。

主权项

一种晶圆对准的方法，包含：提供一晶圆，包含一第一材料层和一第二材料层，该第一材料层包含一第一对准标记，其中该第二材料层位于该第一材料层上；于一曝光机台中，以该第一对准标记为基准，图案化该第二材料层，以于该第二材料层上形成一第二对准标记；以及于该曝光机台中，量测该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量。如申请专利范围第1项之晶圆对准的方法，其中该第一材料层为一矽基底、一导电层或一绝缘层。如申请专利范围第1、2项之晶圆对准的方法，其中该第二材料层为一光阻层。如申请专利范围第1、2项之晶圆对准的方法，其中该第一对准标记为凹陷于该第一层材料层的凹槽结构。如申请专利范围第4项之晶圆对准的方法，其中该第二对准标记为凸出于该第一层材料层表面之凸出结构。如申请专利范围第4项之晶圆对准的方法，其中该第二对准标记为凹陷于该第二层材料层表面之沟槽结构。如申请专利范围第1项之晶圆对准方法，其中该第二材料层之图案化步骤包括：以该第一对准标记为基准，对准该晶圆于该曝光机台的放置位置；于该曝光机台中进行一曝光制程，以将该第二材料层曝光；以及对该第二材料层进行一显影制程。如申请专利范围第1项之晶圆对准的方法，其中系藉由该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。如申请专利范围第5项之晶圆对准的方法，其中系藉由该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。如申请专利范围第6项之晶圆对准的方法，其中系藉由该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。