一种有机电致发光器件及制备其的方法

摘要

本发明涉及一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及介于两电极之间的有机功能层，电洞注入层、电洞传输层和电子传输层中的至少一层中包含基质材料和掺入该基质材料中的无机惰性材料，其中该无机惰性材料选自金属卤化物、金属氧化物或金属的碳酸盐。本发明克服了现有OLED器件稳定性较差、寿命较短的缺陷，在器件中采用绝缘材料掺杂的结构，有效地提高了器件的发光效率，同时有利于减缓工作器件的衰减，并使得器件的热稳定性得到很好的提高，从而使器件寿命获得显着提高。

主权项

一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及介于所述阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层包括发光层、电洞注入层、电洞传输层、电子传输层、电子注入层和电洞阻挡层中的至少一层，其中所述电洞注入层、电洞传输层和电子传输层中的至少一层的基质材料中掺入无机惰性材料，其中所述无机惰性材料选自氟化铋、氯化铋、溴化铋、碘化铋、三氧化二铋、二氟化镱、三氯化镱、二氯化镱、三溴化镱、二溴化镱、三氧化二镱、三碳酸二镱、Sm2(CO3)3或其混合物。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料均匀掺入全部或部分基质材料中。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料以梯度方式掺入全部或部分基质材料中。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料掺入基质材料的部分区域中。如申请专利范围第4项所述之有机电致发光器件，其中所述区域的个数为1~5。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料掺入基质材料中的浓度为1~99 wt%。如申请专利范围第6项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料掺入基质材料中的浓度为4~80 wt%。如申请专利范围第6项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料掺入基质材料中的浓度为10~50 wt%。如申请专利范围第6项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料掺入基质材料中浓度为30~40wt%。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料选自金属的卤化物、氧化物或碳酸盐或其混合物。如申请专利范围第10项所述之有机电致发光器件，其中所述金属的卤化物、氧化物或碳酸盐选自过渡金属和第五主族金属的卤化物、氧化物或碳酸盐。如申请专利范围第11项所述之有机电致发光器件，其中所述过渡金属的卤化物、氧化物或碳酸盐选自镧系金属的卤化物、氧化物或碳酸盐，所述第五主族金属的卤化物、氧化物或碳酸盐选自铋的卤化物、氧化物或碳酸盐。如申请专利范围第12项所述之有机电致发光器件，其中所述镧系金属的卤化物、氧化物或碳酸盐选自钕、钐、镨、钬的卤化物、氧化物或碳酸盐。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料选自三氟化镱或三氟化铋，其掺入基质材料中的浓度为30~40wt%。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料在电洞注入层的掺入厚度为10~200nm。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料在电洞传输层的掺入厚度为5~20nm。如申请专利范围第1项所述之有机电致发光器件，其中所述无机惰性材料在电子传输层的掺入厚度为5~20nm。一种制备有机电致发光器件的方法，其中该有机电致发光器件包括阳极、阴极，以及介于所述阳极与阴极之间的有机功能层，该有机功能层包括发光层、电洞注入层、电洞传输层、电子传输层、电子注入层和电洞阻挡层中的至少一层，其中在所述电洞注入层、电洞传输层和电子传输层中的至少一层的基质材料中掺入无机惰性材料，其中所述无机惰性材料选自氟化铋、氯化铋、溴化铋、碘化铋、三氧化二铋、二氟化镱、三氯化镱、二氯化镱、三溴化镱、二溴化镱、三氧化二镱、三碳酸二镱、Sm2(CO3)3或其混合物。一种制备有机电致发光器件的方法，其中所述有机电致发光器件是如申请专利范围第1至17项中任何一项的有机电致发光器件。