| 摘要 |
Ce procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque à émetteur sélectif, comprend les étapes suivantes : - dépôt d'une couche antireflet (7) comprenant des dopants de type n sur un substrat (1) de silicium de type n ou p, ledit dépôt étant réalisé en présence d'un composé chimique permettant d'accélérer la diffusion des atomes dopants de type n dans ledit substrat (1) ; - surdopage d'au moins une zone du substrat (1) de manière à réaliser au moins un émetteur surdopé n (6), par diffusion ponctuelle des dopants n d'au moins une zone de la couche antireflet (7) ; - dépôt : o d'au moins un matériau conducteur de type n (3) sur le au moins un émetteur surdopé n (6) ; et o d'au moins un matériau conducteur de type p (4) sur la face du substrat (1) opposée à celle comprenant la couche antireflet (7) ; - réalisation des contacts n (3) et des contacts p (4) simultanément à la réalisation d'un émetteur n (5) par un recuit apte à diffuser au sein du substrat des dopants n de la couche antireflet (7). |
