PHASE CHANGE MEMORY

摘要

본 발명은 상 변화 메모리 셀들을 동작시키는 장치들 및 방법들을 포함한다. 하나 이상의 실시예들은 메모리 셀의 상 변화 물질에 프로그래밍 신호를 인가하는 단계, 및 다수의 특정 감소분들에 따라 상기 인가된 프로그래밍 신호의 트레일링 부분의 크기를 연속적으로 감소시키는 단계를 포함한다. 상기 다수의 특정 감소분들의 크기 및 지속기간은 특정 프로그래밍된 값들에 대응한다.