一种半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成鳍片，该鳍片包括用于形成沟道的中心部分、以及用于形成源/漏区和源/漏扩展区的端部分；形成栅堆叠，覆盖所述鳍片的中心部分；进行轻掺杂以在所述鳍片的端部分中形成源/漏扩展区；在所述栅堆叠的侧壁形成侧墙；进行重掺杂以在所述鳍片的端部分中形成源/漏区；去除所述侧墙的至少一部分，以暴露至少部分源/漏扩展区；在所述源/漏区和源/漏扩展区暴露区域的上表面形成接触层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在源/漏扩展区形成一层薄的接触层，不但可以有效地降低源/漏扩展区的接触电阻，还可以通过控制接触层的厚度来有效地控制源/漏扩展区的结深，以此抑制短沟道效应。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底，在所述衬底上形成鳍片(106)，该鳍片(106)包括用于形成沟道的中心部分(106b)、以及用于形成源/漏区和源/漏扩展区的端部分(106a)；b)形成栅堆叠，覆盖所述鳍片(106)的中心部分(106b)；进行轻掺杂以在所述鳍片的端部分(106a)中形成源/漏扩展区(110a)；在所述栅堆叠的侧壁形成侧墙(206)；进行重掺杂以在所述鳍片的端部分(106a)中形成源/漏区(110b)；c)去除所述侧墙(206)的至少一部分，以暴露至少部分源/漏扩展区(110a)；d)在所述源/漏区(110b)和源/漏扩展区(110a)暴露区域的上表面形成接触层(108)。