硅纳米线掺杂方法

摘要

本发明公开了一种新型硅纳米线掺杂方法，首先在玻璃衬底上通过金属催化CVD法生长硅纳米线，然后采用离子注入的方法注入Fe离子或其它的稀磁元素，之后对掺入稀磁杂质的硅纳米线通过退火处理进行磁性激活。能够通过稀磁杂质在电场作用下的电子自旋分裂特性，对已掺杂的纳米线的掺杂浓度进行补偿调整。

主权项

一种硅纳米线掺杂方法，其特征在于，包括步骤：A、在衬底材料上生长硅纳米线；B、向步骤A中生长好的硅纳米线中掺入稀磁杂质；C、对步骤B中掺入稀磁杂质的硅纳米线通过退火处理进行磁性激活；所述的稀磁杂质包括Fe；所述的步骤B中，采用离子注入的方法注入Fe离子，注入能量为120～220keV，注入数量为3×1017cm‑2～5×1017cm‑2，注入时的温度为200－300°C；在注入Fe离子的过程中，所述衬底材料倾斜6－8°。