发明名称 |
具有阻止反向电流功能的高边功率MOSFET开关管组 |
摘要 |
一种具有阻止反向电流结构的高边功率MOSFET开关管组,包括第一功率MOSFET管,输入电压端,输出电压端,栅极驱动端,该开关管组进一步包括:第二功率MOSFET管,其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接,所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接,所述第二功率MOSFET管源极与衬底连接,所述第一功率MOSFET管源极与所述第二功率MOSFET管漏极连接。 |
申请公布号 |
CN101453157B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200710196045.0 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
杨志江 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种具有阻止反向电流结构高边功率MOSFET开关管组,包括第一功率MOSFET管、输入电压端、输出电压端和栅极驱动端,其特征在于,所述开关管组进一步包括:第二功率MOSFET管,其中所述第一功率MOSFET管的栅极和所述第二功率MOSFET管的栅极连接,所述第一功率MOSFET管的衬底和所述第二功率MOSFET管的衬底连接,所述第二功率MOSFET管的源极与衬底连接,所述第一功率MOSFET管的源极与所述第二功率MOSFET管的漏极连接,所述第一功率MOSFET管导通时,所述第二功率MOSFET管形成反型沟道。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区科新路8号 |